Номер детали:
BDW94CFP
Категория:
Транзисторы
Описание:
PNP - Darlington 150°C TJ 1mA 1 элемент 3 вывода кремний TO-220-3 Full Pack Tube Through Hole
Упаковка:
-
Статус производства:
Статус наличия:
Спецификация
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
Transistor Element Material
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Collector Emitter Voltage (VCEO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
Current - Collector Cutoff (Max)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
Collector Emitter Breakdown Voltage
Collector Emitter Saturation Voltage
Collector Base Voltage (VCBO)
Emitter Base Voltage (VEBO)
Детали продукта
BDW94CFP Overview
В этом устройстве, коэффициент усиления по постоянному току составляет 750 @ 5A 3V, который является отношением между базовым током и током коллектора. Эта система обеспечивает максимальную гибкость проектирования благодаря напряжению насыщения коллектор-эмиттер 2V. Одиночный транзистор BJT означает, что Ic находится на максимальном значении для одиночных транзисторов BJT (насыщенный), поэтому напряжение насыщения Vce (макс.) равно 3V @ 100mA, 10A. При напряжении эмиттер-база 2.5V можно достичь эффективной работы. Как определено номинальным током, максимальный ток, который предохранитель может выдерживать без значительного ухудшения, составляет -12A для этого устройства. Одиночный транзистор BJT может иметь ток коллектора, падающий до 12A вольт при максимальном значении для одиночных транзисторов BJT.
BDW94CFP Features
коэффициент усиления по постоянному току для этого устройства составляет 750 @ 5A 3V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2V
напряжение насыщения Vce (макс.) равно 3V @ 100mA, 10A
напряжение эмиттер-база поддерживается на 2.5V
номинальный ток этого устройства составляет -12A
BDW94CFP Applications
Существует множество применений STMicroelectronics
BDW94CFP одиночных транзисторов BJT.
- Инвертор
- Интерфейс
- Драйвер
- Заглушение
Ключевые особенности
Ключевые особенности недоступны
Сценарии применения
Сценарии применения недоступны
Документы