Доступен ли STB120N4F6 для RFQ?

Да. STB120N4F6 от STMicroelectronics доступен для RFQ. Укажите необходимое количество, и наша команда подтвердит актуальный остаток, срок поставки и оптовую цену.

Можете ли вы предложить альтернативы для STB120N4F6?

Да. Если STB120N4F6 недоступен, снят с производства или не подходит по срокам поставки, мы поможем проверить похожие позиции STMicroelectronics в категории Транзисторы или совместимые альтернативы.

STB120N4F6 - STMicroelectronics | Электронные компоненты

Name: STB120N4F6
Brand: STMicroelectronics
SKU: STB120N4F6
Availability: InStock

2. Почему для STB120N4F6 нет фиксированной цены?

Цена на STB120N4F6 может зависеть от количества заказа, доступности на рынке, date code, упаковки и страны доставки. Запросите предложение, чтобы получить актуальную оптовую цену.

3. Какие ключевые характеристики у STB120N4F6?

STB120N4F6 — это Транзисторы STMicroelectronics с такими характеристиками: Time@Peak Reflow Temperature-Max (s): 30 и Drain-source On Resistance-Max: 0.004 Ω. Ознакомьтесь с деталями продукта или отправьте RFQ, если нужна проверка перед покупкой.

4. Как быстро я получу предложение по STB120N4F6?

Наша команда продаж обычно отвечает в течение 24 часов после получения RFQ. Предложение может включать статус наличия, цену за единицу, срок поставки, варианты доставки и доступные альтернативы.

5. Как скоро можно отправить STB120N4F6?

Если наличие подтверждено, товары со склада обычно могут быть отправлены в течение 1–2 рабочих дней. Итоговый срок зависит от количества, источника склада и страны доставки.

2. Почему для STB120N4F6 нет фиксированной цены?

3. Какие ключевые характеристики у STB120N4F6?

4. Как быстро я получу предложение по STB120N4F6?

5. Как скоро можно отправить STB120N4F6?

Описание

STB120N4F6 — это автомобильный N-канальный 40 В, 3.5 м? тип., 80 А STripFET? F6 Power MOSFETs в корпусах DPAK и D2PAK. Эти продукты являются N-канальными силовыми MOSFET, изготовленными с новой структурой затвора и 6-м поколением технологии STripFET DeepGATE. силовые MOSFET, которые производятся, имеют самое низкое RDS(on) среди всех корпусов. STB120N4F6 использует новейшую структуру затвора и патентованную технологию STripFET? DeepGATE? ST 6-го поколения правил проектирования. Полученный силовой MOSFET имеет самое низкое RDS(on) среди всех корпусов.