Logo
Контакты
Политика использования файлов cookie
Условия использования
Политика конфиденциальности
phone
Vivi (Продажи)
phone
Lucy (Продажи)
phone
Ban (Продажи)
phone
+86 755-2845-3125
Список RFQ
  • open navigation menu
    • Logo
    • Список RFQ
      • Производители
      • Популярные товары
      • RFQ
      • Блог
      • Инструменты
      • Решения для закупок
      • PCB/SMT
      • О нас
    Знак сертификации
    Знак сертификации
    Знак сертификации
    Знак сертификации
    Знак сертификации
    Знак сертификации
    Знак сертификации
    Знак сертификации
    Знак сертификации
    Знак сертификации
    Знак сертификации
    Знак сертификации
    СВЯЖИТЕСЬ С НАМИ
    Служба поддержки:
    +86 755-2845-3125
    Комната 2709B, Офисное здание 5A, Longguang Jiuzuan, Hongshan, район Longhua, Шэньчжэнь, Китай
    [email protected]
    Компания
    • Блог
    • О нас
    • Контакты
    Ресурсы
    • Категории
    • Производители
    • Инструменты
    • RFQ
    Быстрые ссылки
    • Политика конфиденциальности
    • Условия использования
    • Политика использования файлов cookie
    • Политика возврата и возмещения
    • Политика доставки
    Оплата
    • Способ оплаты
    • Способ оплаты
    • Способ оплаты
    • Способ оплаты
    Логистика
    • Логистический партнёр
    • Логистический партнёр
    • Логистический партнёр
    • Логистический партнёр

    © 2026 Авторское право. Все права защищены. Сделано ICAllIn

    Номер детали
    Номер детали
    1. Главная/
    2. Все категории/
    3. Дискретные полупроводники/
    4. Транзисторы/
    5. STB18NF25 STMicroelectronics
    FAQ по продукту

    1. Доступен ли STB18NF25 для RFQ?

    Да. STB18NF25 от STMicroelectronics доступен для RFQ. Укажите необходимое количество, и наша команда подтвердит актуальный остаток, срок поставки и оптовую цену.

    2. Почему для STB18NF25 нет фиксированной цены?

    Цена на STB18NF25 может зависеть от количества заказа, доступности на рынке, date code, упаковки и страны доставки. Запросите предложение, чтобы получить актуальную оптовую цену.

    3. Какие ключевые характеристики у STB18NF25?

    STB18NF25 — это Транзисторы STMicroelectronics с такими характеристиками: Packaging: Tape & Reel (TR) и Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A Tc и Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On): 10V. Ознакомьтесь с деталями продукта или отправьте RFQ, если нужна проверка перед покупкой.

    4. Как быстро я получу предложение по STB18NF25?

    Наша команда продаж обычно отвечает в течение 24 часов после получения RFQ. Предложение может включать статус наличия, цену за единицу, срок поставки, варианты доставки и доступные альтернативы.

    5. Как скоро можно отправить STB18NF25?

    Если наличие подтверждено, товары со склада обычно могут быть отправлены в течение 1–2 рабочих дней. Итоговый срок зависит от количества, источника склада и страны доставки.

    6. Можете ли вы предложить альтернативы для STB18NF25?

    Да. Если STB18NF25 недоступен, снят с производства или не подходит по срокам поставки, мы поможем проверить похожие позиции STMicroelectronics в категории Транзисторы или совместимые альтернативы.

    Запрос

    Номер детали:

    STB18NF25

    Производитель:

    STMicroelectronics

    Ищете цены? Свяжитесь с нами для получения оптовых цен.

    Доставка и гарантия

    Быстрая отправка: Отправка в течение 5-7 дней (товары в наличии в течение 1-2 дней)

    Глобальный экспорт Unishop: 1-7 дней, $40.00

    Гарантированная доставка: От двери до двери за 30 дней

    Соответствующая мировая доставка: DHL, FedEx, SF и UPS.

    ВАЖНОЕ УВЕДОМЛЕНИЕ

    Коммерческие предложения зависят от наличия товара на складе и могут меняться в зависимости от рыночных условий. Цены и сроки поставки не гарантируются до подтверждения заказа на покупку. Убедитесь, что ваши контактные данные указаны правильно, чтобы избежать задержек в ответе.

    STB18NF25 [STMicroelectronics]

    STB18NF25
    STB18NF25

    Номер детали:

    STB18NF25

    Категория:

    Транзисторы

    Производитель:

    STMicroelectronics

    Описание:

    MOSFET (метал-оксид) N-канальный ленточная упаковка (TR) 165m ? @ 8.5A, 10V ±20V 1000pF @ 25V 29.5nC @ 10V TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

    Статус RoHS:

    Даташит:

    Статус наличия:

    Доступно для RFQ

    Цена:

    Запросить оптовую цену

    Ответ на запрос:

    В течение 24 часов

    Доставка:

    Товары в наличии отправляются в течение 1–2 рабочих дней

    Спецификация

    Тип
    Параметр
    Lifecycle Status
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    Factory Lead Time
    12 Weeks
    Mount
    Surface Mount
    Mounting Type
    Surface Mount
    Package / Case
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    Number of Pins
    3
    Transistor Element Material
    SILICON
    Operating Temperature
    -55°C~175°C TJ
    Packaging
    Tape & Reel (TR)
    JESD-609 Code
    e3
    Part Status
    Active

    Детали продукта

    STB18NF25 Обзор


    Существует явление, известное как "лавинный пробой", где лавинная энергия прикладывается к MOSFET, и номинальная лавинная энергия (Eas) составляет 54 мДж. Входная емкость, CI, определяется как емкость между двумя входными клеммами операционного усилителя с одним входом, заземленным, и входная емкость этого устройства составляет 1000 пФ @ 25 В. Это устройство имеет непрерывный ток стока (ID) [17A], который является его максимальным непрерывным током. При заданном напряжении пробоя сток-исток будет течь заданное значение ID. При VGS=250 В напряжение пробоя сток-исток составляет 250 В. Время задержки выключения устройства — это время, необходимое для зарядки его входной емкости, прежде чем ток стока сможет течь. Время задержки выключения устройства составляет 21 нс. Максимальный импульсный ток стока 68A — это максимальный пиковый ток стока, номинальный для этого устройства. Во время включения входная емкость устройства заряжается до начала проводимости тока стока, поэтому время задержки составляет 8.8 нс. Напряжение затвор-исток, или VGS, — это напряжение на переходе затвор-исток транзистора FET и может составлять 20 В. Его общее потребление мощности можно уменьшить, используя напряжение привода (10 В).

    STB18NF25 Особенности


    номинальная лавинная энергия (Eas) составляет 54 мДж
    непрерывный ток стока (ID) 17A
    напряжение пробоя сток-исток 250 В
    время задержки выключения составляет 21 нс
    на основе его номинального пикового тока стока 68A.

    STB18NF25 Применения


    Существует множество применений STMicroelectronics STB18NF25 в одиночных транзисторах MOSFET.


    • Источник бесперебойного питания
    • Источник питания AC-DC
    • Синхронный выпрямление для ATX 1 Server I Telecom PSU
    • Приводы двигателей и источники бесперебойного питания
    • Микро-солнечный инвертор
    • Преобразователи DC/DC
    • Электроинструменты
    • Приводы двигателей и источники бесперебойного питания
    • Синхронный выпрямление
    • Схема защиты аккумулятора

    Документы

    Datasheets:

    ST(B,D)18NF25
    Рекомендуемый товар
    Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
    Number of Terminations
    2
    ECCN Code
    EAR99
    Resistance
    165MOhm
    Terminal Finish
    Matte Tin (Sn) - annealed
    Technology
    MOSFET (Metal Oxide)
    Terminal Form
    GULL WING
    Peak Reflow Temperature (Cel)
    245
    Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)
    30
    Base Part Number
    STB18N
    Pin Count
    4
    JESD-30 Code
    R-PSSO-G2
    Number of Elements
    1
    Power Dissipation-Max
    110W Tc
    Element Configuration
    Single
    Operating Mode
    ENHANCEMENT MODE
    Power Dissipation
    110W
    Case Connection
    DRAIN
    Turn On Delay Time
    8.8 ns
    FET Type
    N-Channel
    Transistor Application
    SWITCHING
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1000pF @ 25V
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    17A Tc
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    29.5nC @ 10V
    Rise Time
    17.2ns
    Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
    10V
    Vgs (Max)
    ±20V
    Fall Time (Typ)
    8.8 ns
    Turn-Off Delay Time
    21 ns
    Continuous Drain Current (ID)
    17A
    Gate to Source Voltage (Vgs)
    20V
    Drain to Source Breakdown Voltage
    250V
    Pulsed Drain Current-Max (IDM)
    68A
    Avalanche Energy Rating (Eas)
    54 mJ
    Radiation Hardening
    No
    RoHS Status
    RoHS Compliant
    Lead Free
    Lead Free

    Особенности

    • 30-дневная гарантия
      30-дневная гарантия
    • Быстрая доставка
      Быстрая доставка
    • Беспроблемный возврат
      Беспроблемный возврат
    • Безопасный способ оплаты
      Безопасный способ оплаты
    Связанная информация
    • Номер детали
      Производитель
      Статус наличия
      Цена
      RoHS/даташит
    • ST13003DN
      STMicroelectronics
      Доступно для RFQ
      Запросить оптовую цену
    • STB70NF03L
      STMicroelectronics
      Доступно для RFQ
      Запросить оптовую цену
      -
    • BUL743
      STMicroelectronics
      Доступно для RFQ
      Запросить оптовую цену
    • BC394
      STMicroelectronics
      Доступно для RFQ
      Запросить оптовую цену
    • STD100NH03L
      STMicroelectronics
      Доступно для RFQ
      Запросить оптовую цену
      -
    • STC5DNF30V
      STMicroelectronics
      Доступно для RFQ
      Запросить оптовую цену
    • STB30NM50N
      STMicroelectronics
      Доступно для RFQ
      Запросить оптовую цену
    • STB40NF10LT4
      STMicroelectronics
      Доступно для RFQ
      Запросить оптовую цену
    • STB25N80K5
      STMicroelectronics
      Доступно для RFQ
      Запросить оптовую цену
    • BTA24-600BW
      STMicroelectronics
      Доступно для RFQ
      Запросить оптовую цену

    STD10LN80K5

    STD10LN80K5

    STMicroelectronics

    SCTH40N120G2V7AG

    SCTH40N120G2V7AG

    STMicroelectronics

    BD537

    BD537

    STMicroelectronics

    2STA1695

    2STA1695

    STMicroelectronics

    BU508AF

    BU508AF

    STMicroelectronics

    STB3NB60T4

    STB3NB60T4

    STMicroelectronics

    STB19NB20

    STB19NB20

    STMicroelectronics

    STB7N52K3

    STB7N52K3

    STMicroelectronics

    BTA41-700BRG

    BTA41-700BRG

    STMicroelectronics

    BD711

    BD711

    STMicroelectronics

    Diodes & Rectifiers(136426)Discrete & Power Modules(14567)Thyristors(12548)

    Нет недавно просмотренных товаров

    BEST SELL
    FS32K118LFT0VLHT

    FS32K118LFT0VLHT

    NXP

    BEST SELL
    MCX75510AAS-NEAT

    MCX75510AAS-NEAT

    NVIDIA

    BEST SELL
    MT41K512M16VRP-107 IT:P

    MT41K512M16VRP-107 IT:P

    Micron

    BEST SELL
    ADF4351BCPZ

    ADF4351BCPZ

    Analog Devices

    BEST SELL
    MTFC2GMDEA-0M WT A

    MTFC2GMDEA-0M WT A

    Micron

    BEST SELL
    K4RAH165VB-BIWM

    K4RAH165VB-BIWM

    SAMSUNG

    BEST SELL
    MT53E2G32D4DE-046 AAT:C

    MT53E2G32D4DE-046 AAT:C

    Micron

    BEST SELL
    KLMAG1JETD-B041009

    KLMAG1JETD-B041009

    SAMSUNG

    BEST SELL
    K4AAG085WA-BIWE

    K4AAG085WA-BIWE

    SAMSUNG

    BEST SELL
    IS43LQ32256A-062BLI

    IS43LQ32256A-062BLI

    ISSI