STB30NM60ND [STMicroelectronics]

STB30NM60ND Обзор

Существует лавинный пробой, при котором энергия подается на MOSFET, чтобы вызвать его пробой, и эта энергия называется лавинной энергией, а номинальная лавинная энергия (Eas) составляет 900 mJ.ОУ с заземленным входом имеют фиксированный параметр входной емкости CI, а у этого устройства максимальная входная емкость составляет 2800pF @ 50V.Устройства могут проводить максимальный непрерывный ток 3 A в стоковой области, поэтому непрерывный стоковый ток (ID) для этого устройства составляет 12.5A.В этом устройстве напряжение пробоя сток-исток составляет 600V и VGS=600V, поэтому напряжение пробоя сток-исток в данном случае равно 600V.Устройство может проводить максимальный непрерывный ток [25A] в соответствии с его стоковым током.Это [110 ns], потому что требуется время для зарядки входной емкости устройства, прежде чем может начаться проводимость стокового тока.Обычно напряжение затвор-исток (VGS) транзистора FET - это напряжение между его выводами затвора и истока, которое составляет 25V.Устройство такого типа снижает общее энергопотребление, когда использует напряжение привода (10V).

STB30NM60ND Особенности

номинальная лавинная энергия (Eas) составляет 900 mJ
непрерывный стоковый ток (ID) 12.5A
напряжение пробоя сток-исток 600V voltage
время задержки выключения 110 ns

• Синхронный выпрямление для ATX 1 Сервера I Телеком БП
• Приводы двигателей и источники бесперебойного питания
• Микро-солнечный инвертор
• DC/DC преобразователи
• Электроинструменты
• Приводы двигателей и источники бесперебойного питания
• Синхронный выпрямление
• Схема защиты аккумулятора
• Телеком 1 Серверные блоки питания
• Промышленные блоки питания