Доступен ли STB33N65M2 для RFQ?

Да. STB33N65M2 от STMicroelectronics доступен для RFQ. Укажите необходимое количество, и наша команда подтвердит актуальный остаток, срок поставки и оптовую цену.

Можете ли вы предложить альтернативы для STB33N65M2?

Да. Если STB33N65M2 недоступен, снят с производства или не подходит по срокам поставки, мы поможем проверить похожие позиции STMicroelectronics в категории Транзисторы или совместимые альтернативы.

STB33N65M2 - STMicroelectronics | Электронные компоненты

Name: STB33N65M2
Brand: STMicroelectronics
SKU: STB33N65M2
Availability: InStock

2. Почему для STB33N65M2 нет фиксированной цены?

Цена на STB33N65M2 может зависеть от количества заказа, доступности на рынке, date code, упаковки и страны доставки. Запросите предложение, чтобы получить актуальную оптовую цену.

3. Какие ключевые характеристики у STB33N65M2?

STB33N65M2 — это Транзисторы STMicroelectronics с такими характеристиками: Packaging: Cut Tape (CT) и Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A Tc и Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On): 10V. Ознакомьтесь с деталями продукта или отправьте RFQ, если нужна проверка перед покупкой.

4. Как быстро я получу предложение по STB33N65M2?

Наша команда продаж обычно отвечает в течение 24 часов после получения RFQ. Предложение может включать статус наличия, цену за единицу, срок поставки, варианты доставки и доступные альтернативы.

5. Как скоро можно отправить STB33N65M2?

Если наличие подтверждено, товары со склада обычно могут быть отправлены в течение 1–2 рабочих дней. Итоговый срок зависит от количества, источника склада и страны доставки.

Описание

STB33N65M2 является N-канальным 650 В, 0.117 ? тип., 24 A MDmesh? M2 силовыми МОП-транзисторами в корпусах D2PAK, TO-220FP, TO-220 и I2PAK. N-канальные силовые МОП-транзисторы, используемые в этих продуктах, были созданы с использованием технологии MDmeshTM M2. Приборы имеют низкое сопротивление в открытом состоянии и оптимальные переключательные характеристики благодаря их полосчатой структуре и улучшенной вертикальной структуре, что делает их пригодными для самых требовательных высокоэффективных преобразователей.