Name: STB8N65M5
Brand: STMicroelectronics
SKU: STB8N65M5

STB8N65M5 [STMicroelectronics]

Номер детали:

STB8N65M5

Категория:

Транзисторы

Производитель:

STMicroelectronics

Описание:

MOSFET (Металл-оксид) N-канальный лента и кассета (TR) 600 мОм ? при 3.5 А, 10 В ±25 В 690 пФ при 100 В 15 нКл при 10 В TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Упаковка:

-

Статус RoHS:

Даташит:

Статус производства:

Статус наличия:

Спецификация

Тип

Параметр

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)

Factory Lead Time

17 Weeks

Mount

Surface Mount

Mounting Type

Surface Mount

Package / Case

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Number of Pins

Transistor Element Material

SILICON

Operating Temperature

150°C TJ

Packaging

Tape & Reel (TR)

JESD-609 Code

Part Status

Active

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Number of Terminations

ECCN Code

EAR99

Resistance

560mOhm

Terminal Finish

Matte Tin (Sn) - annealed

Additional Feature

ULTRA-LOW RESISTANCE

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Terminal Form

GULL WING

Peak Reflow Temperature (Cel)

245

Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)

Base Part Number

STB8N

Pin Count

JESD-30 Code

R-PSSO-G2

Number of Elements

Power Dissipation-Max

70W Tc

Element Configuration

Single

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Power Dissipation

70W

Turn On Delay Time

50 ns

FET Type

N-Channel

Transistor Application

SWITCHING

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

690pF @ 100V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C

7A Tc

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 10V

Rise Time

14ns

Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±25V

Fall Time (Typ)

11 ns

Turn-Off Delay Time

20 ns

Continuous Drain Current (ID)

Threshold Voltage

Gate to Source Voltage (Vgs)

25V

Drain Current-Max (Abs) (ID)

Drain to Source Breakdown Voltage

650V

Pulsed Drain Current-Max (IDM)

28A

Height

4.6mm

Length

10.75mm

Width

10.4mm

REACH SVHC

No SVHC

Radiation Hardening

RoHS Status

RoHS Compliant

Lead Free

Детали продукта

STB8N65M5 Описание

The STB8N65M5 является MDmesh? V N-канальным силовым MOSFET, обеспечивающим превосходную производительность переключения. MDmesh? V Power MOSFET основан на инновационной собственной вертикальной технологии процесса, которая объединена с известной горизонтальной структурой компоновки PowerMESH? от STMicroelectronics. STMicroelectronics STB8N65M5 имеет чрезвычайно низкое сопротивление в открытом состоянии, которое не имеет аналогов среди силовых MOSFET на кремниевой основе, что делает его особенно подходящим для приложений, требующих превосходной мощности и выдающейся эффективности.

STB8N65M5 Характеристики

Лучший в мире RDS(on) * area
Более высокий рейтинг VDSS
Высокая способность dv/dt
Превосходная производительность переключения
Легко управляемый
100% протестировано на лавинный пробой

STB8N65M5 Применения

Вращающийся переключатель
DIP-переключатель
Конечный выключатель
Герконовый переключатель
Колебательный переключатель
Тумблер

Ключевые особенности

Ключевые особенности недоступны

Сценарии применения

Сценарии применения недоступны

Документы

Datasheets:

STx8N65M5 STB8N65M5-STMicroelectronics-datasheet-10409011.pdf STB8N65M5-STMicroelectronics-datasheet-12527792.pdf STB8N65M5-STMicroelectronics-datasheet-62335297.pdf

Запрос

Ищете цены? Свяжитесь с нами для получения оптовых цен.

Доставка и гарантия

Быстрая отправка: Отправка в течение 5-7 дней (товары в наличии в течение 1-2 дней)

Глобальный экспорт Unishop: 1-7 дней, $40.00

Гарантированная доставка: От двери до двери за 30 дней

Соответствующая мировая доставка: DHL, FedEx, SF и UPS.

Особенности

30-дневная гарантия
Быстрая доставка
Беспроблемный возврат
Безопасный способ оплаты

ВАЖНОЕ УВЕДОМЛЕНИЕ

Коммерческие предложения зависят от наличия товара на складе и могут меняться в зависимости от рыночных условий. Цены и сроки поставки не гарантируются до подтверждения заказа на покупку. Убедитесь, что ваши контактные данные указаны правильно, чтобы избежать задержек в ответе.