STD10NF30 [STMicroelectronics]

Обзор STD10NF30

Лавинный пробой происходит при приложении энергии к MOSFET, и рейтинги лавинной энергии (Eas) составляют 175 мДж.Максимальная входная емкость устройства составляет 780 пФ @ 25 В, которая определяется как емкость между его входными клеммами с заземленным любым входом.В этом устройстве стоковый ток составляет 10 А, что является максимальным непрерывным током, который устройство может проводить.В отношении импульсного стокового тока он имеет максимум 40 А, что является его максимальным номинальным пиковым стоковым током.Для поддержания нормальной работы рекомендуется, чтобы напряжение пробоя DS было выше 300 В.Этот транзистор требует напряжение сток-исток (Vdss) 300 В.Это устройство снижает общее потребление мощности за счет использования напряжения привода (10 В).

Особенности STD10NF30

рейтинг лавинной энергии (Eas) составляет 175 мДж
на основе его номинального пикового стокового тока 40 А.
напряжение сток-исток (Vdss) 300 В

Применения STD10NF30

Существует множество STMicroelectronics
применений STD10NF30 одиночных транзисторов MOSFET.

• Бытовая техника
• Освещение
• Источник бесперебойного питания
• Импульсный источник питания
• Синхронный выпрямление для ATX 1 Сервер И Телеком ИБП
• Приводы двигателей и источники бесперебойного питания
• Микро-солнечный инвертор
• DC/DC преобразователи
• Электроинструменты
• Приводы двигателей и источники бесперебойного питания