
K4RAH165VB-BIWM
SAMSUNG

Этот N-канальный силовой MOSFET использует технологию STripFET? F7 с улучшенной структурой траншеи, что обеспечивает очень низкое сопротивление в открытом состоянии, а также уменьшает внутреннюю емкость и заряд затвора для более быстрого и эффективного переключения.
Соответствует AEC-Q101
Один из самых низких RDS(on) на рынке
Отличный FoM (достоинство)
Низкое соотношение Crss/Ciss для помехоустойчивости
Высокая лавинная стойкость
Применения для переключения
Ключевые особенности недоступны
Сценарии применения недоступны
Ищете цены? Свяжитесь с нами для получения оптовых цен.
Быстрая отправка: Отправка в течение 5-7 дней (товары в наличии в течение 1-2 дней)
Глобальный экспорт Unishop: 1-7 дней, $40.00
Гарантированная доставка: От двери до двери за 30 дней
Соответствующая мировая доставка: DHL, FedEx, SF и UPS.
ВАЖНОЕ УВЕДОМЛЕНИЕ
Коммерческие предложения зависят от наличия товара на складе и могут меняться в зависимости от рыночных условий. Цены и сроки поставки не гарантируются до подтверждения заказа на покупку. Убедитесь, что ваши контактные данные указаны правильно, чтобы избежать задержек в ответе.

K4RAH165VB-BIWM
SAMSUNG

PI7C9X2G1616PRAHSBE
DIODES

ISM330DHCX
STMicroelectronics

ADS1248IPWR
Texas Instruments

TMS320F28335ZJZQ
Texas Instruments

ISL8215MIRZ
RENESAS

ISL94202IRTZ-T
RENESAS

ATSAME70Q21B-CFN
Microchip

BQ27441DRZR-G1A
Texas Instruments

MX25L12835FMI-10G/TR
MACRONIX
Нет недавно просмотренных товаров