Номер детали:
STD2NC45-1
Категория:
Транзисторы
Описание:
MOSFET (Металл-окисел) N-канальный трубка 4.5 ? @ 500 мА, 10 В ±30 В 160 пФ @ 25 В 7 нКл @ 10 В TO-251-3 короткие выводы, IPak, TO-251AA
Упаковка:
-
Статус производства:
Статус наличия:
Спецификация
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Transistor Element Material
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Peak Reflow Temperature (Cel)
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
Continuous Drain Current (ID)
Gate to Source Voltage (Vgs)
Drain to Source Breakdown Voltage
Pulsed Drain Current-Max (IDM)
Avalanche Energy Rating (Eas)
Детали продукта
STD2NC45-1 Overview
Когда напряжение превышает напряжение пробоя MOSFET, происходит явление пробоя и течет ток. Это называется ?лавинный пробой?, а энергия, приложенная к MOSFET, называется лавинной энергией, и номинальная лавинная энергия (Eas) составляет 25 мДж. Параметр входной емкости, CI, определяется как емкость между входными выводами операционного усилителя с заземленным любым входом, а максимальная входная емкость этого устройства составляет 160 пФ @ 25 В. Стоковый ток - это максимальный непрерывный ток, который устройство может проводить, и непрерывный стоковый ток (ID) этого устройства составляет 1.5 А. Напряжение пробоя сток-исток - это VDS, при котором течет заданное значение ID, с VGS=450 В. И это устройство имеет напряжение пробоя сток-исток 450 В. Время задержки выключения - это время, необходимое для зарядки входной емкости устройства перед началом проводимости стокового тока, и его время задержки выключения составляет 8.5 нс. IDM - это максимальный номинальный пиковый стоковый ток для силового MOSFET, и его максимальный импульсный стоковый ток составляет 6 А. Время задержки включения - это время, необходимое для зарядки входной емкости устройства перед началом проводимости стокового тока, и его время задержки составляет 6.7 нс. Напряжение затвор-исток, VGS, транзистора FET - это напряжение, которое падает на выводах затвор-исток транзистора, и его напряжение может быть 30 В. Используя напряжение привода (10 В), это устройство помогает снизить общее энергопотребление.
STD2NC45-1 Features
лавинная энергия (Eas) составляет 25 мДж
непрерывный стоковый ток (ID) 1.5 А
напряжение пробоя сток-исток 450 В
время задержки выключения 8.5 нс
на основе его номинального пикового стокового тока 6 А.
STD2NC45-1 Applications
Есть много применений одиночных транзисторов MOSFET от STMicroelectronics
STD2NC45-1.
- ЖК/LED телевизор
- Потребительская бытовая техника
- Освещение
- Источник бесперебойного питания
- АК-DC источник питания
- Синхронный выпрямитель для ATX 1 Server I Telecom PSU
- Приводы двигателей и источники бесперебойного питания
- Микро солнечный инвертор
- DC/DC преобразователи
- Электроинструменты
Ключевые особенности
Ключевые особенности недоступны
Сценарии применения
Сценарии применения недоступны
Документы
