STD3NM50T4 [STMicroelectronics]

Обзор STD3NM50T4

В данном случае МОП-транзистор подвержен пробою по лавине, прикладываемая энергия называется лавинной энергией, и номинальная лавинная энергия (Eas) для МОП-транзистора составляет 130 мДж.Как параметр входной емкости операционного усилителя, CI, определяется как емкость между входными выводами, когда один вход заземлен, максимальная входная емкость этого устройства составляет 140 пФ при 25 В.Это устройство проводит непрерывный стоковый ток (ID) 3 А, который является максимальным непрерывным током, который может проводить транзистор.Используя VGS=550 В и заданное значение ID, пробойное напряжение сток-исток есть VDS, при котором течет заданное значение ID.Это устройство имеет пробойное напряжение сток-исток 550 В (то есть, нет потока заряда от стока к истоку).Стоковый ток есть максимальный непрерывный ток, который может проводить это устройство, который составляет 3 А.Импульсный стоковый ток есть максимальный номинальный пиковый стоковый ток 12 А.Напряжение на выводе затвор-исток МОП-транзистора, называемое напряжением затвор-исток или VGS, может быть 30 В.Для уменьшения потребления мощности это устройство использует напряжение привода 10 В (10 В).

Особенности STD3NM50T4

номинальная лавинная энергия (Eas) составляет 130 мДж
непрерывный стоковый ток (ID) 3 А
пробойное напряжение сток-исток 550 В
на основе его номинального пикового стокового тока 12 А.

Применения STD3NM50T4

Существует множество STMicroelectronics
применений STD3NM50T4 одиночных МОП-транзисторов.

• Приводы двигателей и источники бесперебойного питания
• Микро-солнечные инверторы
• DC/DC преобразователи
• Электроинструменты
• Приводы двигателей и источники бесперебойного питания
• Синхронная выпрямление
• Схема защиты аккумулятора
• Телекоммуникационные источники питания серверов
• Промышленные источники питания
• Ступени PFC, ступени ШИМ с жестким переключением и резонансное переключение