STD5NM50AG [STMicroelectronics]

STD5NM50AG Overview

Пробой MOSFET называется "лавинным пробоем", и лавинная энергия, приложенная к транзистору, оценивается в 300 мДж (Eas).Входная емкость операционного усилителя определяется как емкость между обоими его входными выводами с заземленным любым входом, и 415 пФ @ 100 В является его максимальной входной емкостью.Ток стока относится к максимальному непрерывному току, который устройство может проводить, и он составляет 7.5 А.Пиковый ток стока составляет 30 А, что является максимальным импульсным током стока.Нормальная работа требует, чтобы напряжение пробоя DS оставалось выше 500 В.Для работы этого транзистора требуется напряжение 500 В между стоком и истоком (Vdss).Используя напряжение привода (10 В), это устройство способствует снижению общего энергопотребления.

STD5NM50AG Features

рейтинг лавинной энергии (Eas) составляет 300 мДж
на основе его номинального пикового тока стока 30 А.
напряжение сток-исток 500 В (Vdss)

STD5NM50AG Applications

Существует множество STMicroelectronics
STD5NM50AG применений одиночных транзисторов MOSFET.

• Импульсный источник питания AC-DC
• Синхронный выпрямление для ATX 1 Сервера I Телеком PSU
• Приводы двигателей и источники бесперебойного питания
• Микро-солнечный инвертор
• DC/DC преобразователи
• Электроинструменты
• Приводы двигателей и источники бесперебойного питания
• Синхронный выпрямление
• Схема защиты аккумулятора
• Телеком 1 Серверные источники питания