STD6N62K3 [STMicroelectronics]

Name: STD6N62K3
Brand: STMicroelectronics
SKU: STD6N62K3

Номер детали:

STD6N62K3

Категория:

Транзисторы

Производитель:

STMicroelectronics

Описание:

MOSFET (Метал-Оксид) N-канальный лента и кассета (TR) 1.28 ? @ 2.8A, 10V ±30V 706pF @ 50V 25.7nC @ 10V 620V TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Упаковка:

-

Статус RoHS:

Даташит:

Статус производства:

Статус наличия:

Спецификация

Тип

Параметр

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

Factory Lead Time

12 Weeks

Mount

Surface Mount

Mounting Type

Surface Mount

Package / Case

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Number of Pins

Transistor Element Material

SILICON

Operating Temperature

150°C TJ

Packaging

Tape & Reel (TR)

JESD-609 Code

Part Status

Active

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Number of Terminations

ECCN Code

EAR99

Resistance

1.2Ohm

Terminal Finish

Matte Tin (Sn) - annealed

Additional Feature

ULTRA LOW-ON RESISTANCE

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Terminal Form

GULL WING

Peak Reflow Temperature (Cel)

260

Base Part Number

STD6N

Pin Count

JESD-30 Code

R-PSSO-G2

Number of Elements

Power Dissipation-Max

90W Tc

Element Configuration

Single

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Power Dissipation

90W

Turn On Delay Time

22 ns

FET Type

N-Channel

Transistor Application

SWITCHING

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

706pF @ 50V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C

5.5A Tc

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25.7nC @ 10V

Rise Time

12.5ns

Drain to Source Voltage (Vdss)

620V

Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±30V

Fall Time (Typ)

19 ns

Turn-Off Delay Time

49 ns

Continuous Drain Current (ID)

5.5A

Threshold Voltage

3.75V

Gate to Source Voltage (Vgs)

30V

Drain to Source Breakdown Voltage

650V

Pulsed Drain Current-Max (IDM)

22A

Height

2.4mm

Length

6.6mm

Width

6.2mm

REACH SVHC

No SVHC

Radiation Hardening

RoHS Status

RoHS Compliant

Lead Free

Детали продукта

Описание STD6N62K3

Этот Power MOSFET MDmeshTM K3 был создан с использованием новой разработки, вертикально оптимизированной технологии MDmeshTM от STMicroelectronics. Это устройство идеально подходит для самых требовательных применений благодаря исключительно низкому сопротивлению в открытом состоянии, отличной динамической производительности и высокой способности к лавинному пробою.

Особенности STD6N62K3

100% протестировано на лавинный пробой
Чрезвычайно высокая способность dv/dt
Очень низкая собственная емкость
Улучшенные характеристики обратного восстановления диода
Защищено с помощью Zener

Применения STD6N62K3

Управление питанием
Потребительская электроника
Портативные устройства
Промышленность

Ключевые особенности

Ключевые особенности недоступны

Сценарии применения

Сценарии применения недоступны

Документы

Datasheets:

ST(B,D)6N62K3

Запрос

Ищете цены? Свяжитесь с нами для получения оптовых цен.

Доставка и гарантия

Быстрая отправка: Отправка в течение 5-7 дней (товары в наличии в течение 1-2 дней)

Глобальный экспорт Unishop: 1-7 дней, $40.00

Гарантированная доставка: От двери до двери за 30 дней

Соответствующая мировая доставка: DHL, FedEx, SF и UPS.

Особенности

30-дневная гарантия
Быстрая доставка
Беспроблемный возврат
Безопасный способ оплаты

ВАЖНОЕ УВЕДОМЛЕНИЕ

Коммерческие предложения зависят от наличия товара на складе и могут меняться в зависимости от рыночных условий. Цены и сроки поставки не гарантируются до подтверждения заказа на покупку. Убедитесь, что ваши контактные данные указаны правильно, чтобы избежать задержек в ответе.