STD70N03L-1 [STMicroelectronics]

STD70N03L-1 Overview

Лавинный пробой происходит при приложении энергии к MOSFET, и рейтинги лавинной энергии (Eas) составляют 300 мДж.Максимальная входная емкость устройства составляет 2200 пФ при 25 В, которая определяется как емкость между его входными клеммами с заземленным любым входом.Непрерывный стоковый ток (ID) этого устройства составляет 70 А, что представляет собой максимальный непрерывный ток, который он может проводить.В этом устройстве напряжение пробоя сток-исток составляет 30 В, и напряжение пробоя сток-исток — это VDS, при котором протекает заданное значение ID.Время задержки выключения составляет 19 нс, которое является временем заряда входной емкости устройства до начала проводимости стокового тока.В отношении импульсного стокового тока он имеет максимум 280 А, что является его максимальным номинальным пиковым стоковым током.Напряжение затвор-исток, или VGS, это напряжение на переходе затвор-исток транзистора FET и может составлять 20 В.Это устройство снижает общее энергопотребление за счет использования напряжения привода (5 В 10 В).

STD70N03L-1 Features

рейтинг лавинной энергии (Eas) составляет 300 мДж
непрерывный стоковый ток (ID) 70 А
напряжение пробоя сток-исток 30 В
время задержки выключения составляет 19 нс
на основе его номинального пикового стокового тока 280 А.

STD70N03L-1 Applications

Существует множество STMicroelectronics
применений STD70N03L-1 одиночных транзисторов MOSFET.

• Бытовая техника
• Освещение
• Источник бесперебойного питания
• Источник питания AC-DC
• Синхронный выпрямление для ATX 1 Server I Telecom PSU
• Приводы двигателей и источники бесперебойного питания
• Микро-солнечный инвертор
• DC/DC преобразователи
• Электроинструменты
• Приводы двигателей и источники бесперебойного питания