
H5CG46MEBDX015N
SK HYNIX

MDmeshTM — это новая революционная технология MOSFET, которая сочетает процесс Multiple Drain с горизонтальной компоновкой Company PowerMESH. Результатом является продукт с выдающимся низким сопротивлением в открытом состоянии, впечатляюще высоким dv/dt и превосходными характеристиками лавинного пробоя. Применение собственной технологии полосок компании дает общую динамическую производительность, которая значительно лучше, чем у аналогичных продуктов конкурентов.
ТИПИЧНЫЙ RDS(on) = 0.08
100% ПРОВЕРЕНО НА ЛАВИННЫЙ ПРОБОЙ
НИЗКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ ВХОДА ЗАТВОРА
ВЫСОКИЕ ВОЗМОЖНОСТИ dv/dt И ЛАВИННОГО ПРОБОЯ
НИЗКАЯ ВХОДНАЯ ЕМКОСТЬ И ЗАРЯД ЗАТВОРА
СТРОГИЙ КОНТРОЛЬ ПРОЦЕССА И ВЫСОКИЙ ВЫХОД ГОДНОЙ ПРОДУКЦИИ
Промышленность
Автомобилестроение
Коммуникационное оборудование
Ключевые особенности недоступны
Сценарии применения недоступны
Ищете цены? Свяжитесь с нами для получения оптовых цен.
Быстрая отправка: Отправка в течение 5-7 дней (товары в наличии в течение 1-2 дней)
Глобальный экспорт Unishop: 1-7 дней, $40.00
Гарантированная доставка: От двери до двери за 30 дней
Соответствующая мировая доставка: DHL, FedEx, SF и UPS.
ВАЖНОЕ УВЕДОМЛЕНИЕ
Коммерческие предложения зависят от наличия товара на складе и могут меняться в зависимости от рыночных условий. Цены и сроки поставки не гарантируются до подтверждения заказа на покупку. Убедитесь, что ваши контактные данные указаны правильно, чтобы избежать задержек в ответе.

H5CG46MEBDX015N
SK HYNIX

ISO7721DR
Texas Instruments

MT29F4G08ABADAWP-IT:D
Micron

H5AN8G8NCJR-XNC
SK HYNIX

BQ27441DRZR-G1A
Texas Instruments

K4A8G085WC-BIWE
SAMSUNG

MT60B4G4HB-48B:A
Micron
IS43LQ32256A-062BLI
ISSI

K4RAH165VB-BIWM
SAMSUNG

ISL8200MIRZ-T
RENESAS
Нет недавно просмотренных товаров