Описание STF5N80K5

Технология MDmeshTM K5 используется для создания STF5N80K5 MOSFET, которая построена на уникальной запатентованной вертикальной структуре. Для приложений, требующих высокой плотности мощности и эффективности, результатом является значительное снижение сопротивления в открытом состоянии и сверхнизкий заряд затвора.

Особенности STF5N80K5

• RDS(on) x область с самым низким RDS(on) в отрасли

• Лучший FoM (достоинство) в отрасли

• Заряд затвора очень низкий.

• Устойчивость к лавинному пробою на максимальном уровне

• Защищен с помощью диода Зенера

Приложения STF5N80K5

Коммутационные приложения