STB76NF75 [STMicroelectronics]

Обзор STB76NF75

Одиночный транзистор MOSFET называется "лавинным пробоем", и лавинная энергия прикладывается к MOSFET, и одиночный транзистор MOSFET имеет номинальное значение 700 мДж.При заземлении любого входа параметр входной емкости, CI, представляет емкость между входными клеммами операционного усилителя. Это устройство имеет максимальную входную емкость 3700 пФ @ 25 В.Ток стока устройства — это его максимальный непрерывный ток, и это устройство имеет непрерывный ток стока (ID) 80 А.С напряжением пробоя сток-исток 75 В и скоростью тока сток-исток 1, это устройство имеет напряжение пробоя сток-исток 75 В.Время задержки выключения — это время, необходимое для зарядки входной емкости устройства перед началом проводимости тока стока, и оно составляет 66 нс.Зарядка входной емкости занимает время перед началом проводимости тока стока, поэтому время задержки включения составляет 25 нс.Одиночный транзистор MOSFET — это напряжение, которое падает на клеммах затвор-исток транзистора FET, которое называется напряжением затвор-исток, VGS.Использование напряжения привода (10 В) снижает общее энергопотребление этого устройства.

Особенности STB76NF75

номинальное значение лавинной энергии (Eas) составляет 700 мДж
непрерывный ток стока (ID) 80 А
напряжение пробоя сток-исток 75 В
время задержки выключения составляет 66 нс

Применения STB76NF75

Существует множество STMicroelectronics
приложений одиночных транзисторов MOSFET STB76NF75.

• Освещение
• Источник бесперебойного питания
• Источник питания AC-DC
• Синхронный выпрямление для ATX 1 Сервер I Телеком БП
• Приводы двигателей и источники бесперебойного питания
• Микро-солнечный инвертор
• DC/DC преобразователи
• Электроинструменты
• Приводы двигателей и источники бесперебойного питания
• Синхронный выпрямление