STB141NF55-1 Overview

Имеется лавинный пробой, при котором энергия прикладывается к MOSFET, чтобы вызвать его пробой, и эта энергия называется лавинной энергией, а номинальная лавинная энергия (Eas) составляет 1300 мДж. ОУ с заземленным входом имеют фиксированный параметр входной емкости CI, и у этого устройства максимальная входная емкость составляет 5300 пФ @ 25 В. Устройства могут проводить максимальный непрерывный ток 3 А в области стока, поэтому непрерывный стоковый ток (ID) для этого устройства составляет 80 А. В этом устройстве напряжение пробоя сток-исток составляет 55 В и VGS=55 В, поэтому напряжение пробоя сток-исток в данном случае равно 55 В. Это [125 нс], потому что требуется время для зарядки входной емкости устройства, прежде чем может начаться проводимость стокового тока. Что касается пикового стокового тока, его максимальный импульсный ток составляет 320 А. В целом, напряжение затвор-исток (VGS) транзистора FET — это напряжение между его выводами затвора и истока, которое составляет 20 В. Такое устройство снижает общее энергопотребление, когда использует напряжение привода (10 В).

STB141NF55-1 Features

номинальная лавинная энергия (Eas) составляет 1300 мДж
непрерывный стоковый ток (ID) 80 А
напряжение пробоя сток-исток 55 В voltage
время задержки выключения составляет 125 нс
на основе его номинального пикового стокового тока 320 А.

STB141NF55-1 Applications

Существует множество STMicroelectronics
применений STB141NF55-1 в одиночных транзисторах MOSFET.

• Синхронный выпрямление для ATX 1 Сервер И Телеком БП
• Приводы двигателей и источники бесперебойного питания
• Микро-солнечный инвертор
• DC/DC преобразователи
• Электроинструменты
• Приводы двигателей и источники бесперебойного питания
• Синхронный выпрямление
• Схема защиты аккумулятора
• Телеком 1 Сервер БП
• Промышленные источники питания