Описание STF8N65M5

STF8N65M5 устройства являются n-канальными MDmeshTM V Power MOSFETs на основе известной структуры PowerMESHTM с горизонтальной компоновкой от STMicroelectronics и инновационной собственной технологии вертикального производства. Результативный продукт имеет чрезвычайно низкое сопротивление в открытом состоянии, которое не имеет аналогов среди силовых MOSFET на кремниевой основе, что делает его идеальным для приложений, требующих высокой плотности мощности и эффективности.

Особенности STF8N65M5

• Лучшая область RDS(on) * на планете

• более высокий показатель VDSS

• Исключительные возможности dv/dt

• Исключительные коммутационные возможности

• Управлять им просто.

• Устойчив к лавинному пробою в полной мере

Применения STF8N65M5

Коммутационные приложения