STGB30M65DF2 Описание

STGB30M65DF2 - это IGBT, созданный с использованием проприетарной траншейной структуры с полевым затвором. STGB30M65DF2 является частью семейства IGBT M, которые обеспечивают наилучшее сочетание производительности и эффективности в инверторных системах, где критичны низкие потери и функциональность короткого замыкания. Кроме того, положительный температурный коэффициент VCE(sat) и узкое распределение параметров делают параллельное соединение более безопасным.

STGB30M65DF2 Особенности

• Время выдержки короткого замыкания 6 секунд

• @ IC = 30 A, VCE(sat) = 1.55 V (тип.)

• плотное распределение параметров

• Параллельное соединение безопаснее, а тепловое сопротивление ниже.

• Антипараллельный диод с мягким и быстрым временем восстановления

STGB30M65DF2 Применения

• Управление двигателем

• UPS

• PFC