STB85NF55LT4 [STMicroelectronics]

STB85NF55LT4 Обзор

В данном случае МОП-транзистор подвержен пробою по лавине, приложенная энергия называется лавинной энергией, и рейтинг лавинной энергии (Eas) для МОП-транзистора составляет 980 мДж. Как параметр входной емкости операционного усилителя, CI определяется как емкость между входными клеммами, когда один вход заземлен, максимальная входная емкость этого устройства составляет 4050 пФ @ 25 В. Это устройство проводит непрерывный стоковый ток (ID) 80 А, что является максимальным непрерывным током, который может проводить транзистор. При VGS=55 В и заданном значении ID напряжение пробоя сток-исток определяется как VDS, при котором протекает заданное значение ID. Это устройство имеет напряжение пробоя сток-исток 55 В (то есть, нет потока заряда от стока к истоку). Когда устройство выключено, время задержки выключения 70 нс возникает, так как входная емкость заряжается перед началом проводимости стокового тока. Перед тем, как начнется проводимость стокового тока, время задержки включения устройства тратит время на заряд его входной емкости. Это время задержки 35 нс. Напряжение на клемме затвор-исток МОП-транзистора, называемое напряжением затвор-исток или VGS, может быть 15 В. Для уменьшения потребления мощности это устройство использует напряжение привода 5В 10В вольт (5В 10В).

STB85NF55LT4 Особенности

рейтинг лавинной энергии (Eas) составляет 980 мДж
непрерывный стоковый ток (ID) 80 А
напряжение пробоя сток-исток 55 В напряжение
время задержки выключения 70 нс

STB85NF55LT4 Применения

Существует множество применений STMicroelectronics
STB85NF55LT4 одиночных МОП-транзисторов.

• Приводы двигателей и источники бесперебойного питания
• Микро-солнечный инвертор
• DC/DC преобразователи
• Электроинструменты
• Приводы двигателей и источники бесперебойного питания
• Синхронная выпрямка
• Схема защиты аккумулятора
• Телекоммуникационные серверные блоки питания
• Промышленные блоки питания
• Ступени PFC, ступени ШИМ с жестким переключением и резонансное переключение