STI6N80K5 [STMicroelectronics]

STI6N80K5 Overview

В данном случае MOSFET подвержен пробою по лавине, приложенная энергия называется лавинной энергией, а номинальная лавинная энергия (Eas) для MOSFET составляет 85 мДж. Как параметр входной емкости операционного усилителя, CI, определяется как емкость между входными клеммами, когда один вход заземлен, максимальная входная емкость этого устройства составляет 255 пФ при 100 В. Это устройство проводит непрерывный стоковый ток (ID) 4.5 А, который является максимальным непрерывным током, который может проводить транзистор. Используя VGS=800 В и заданное значение ID, напряжение пробоя сток-исток определяется как VDS, при котором течет заданное значение ID. Это устройство имеет напряжение пробоя сток-исток 800 В (то есть, нет потока заряда от стока к истоку). Напряжение на клемме затвор-исток транзистора FET, называемое напряжением затвор-исток или VGS, может быть 30 В. Для уменьшения потребления мощности это устройство использует напряжение привода 10 В (10V).

STI6N80K5 Features

номинальная лавинная энергия (Eas) составляет 85 мДж
непрерывный стоковый ток (ID) 4.5 А
напряжение пробоя сток-исток 800 В

STI6N80K5 Applications

Существует множество применений STMicroelectronics STI6N80K5 одиночных транзисторов MOSFET.

• Приводы двигателей и источники бесперебойного питания
• Микро-солнечный инвертор
• DC/DC преобразователи
• Электроинструменты
• Приводы двигателей и источники бесперебойного питания
• Синхронная выпрямка
• Схема защиты аккумулятора
• Источники питания для телекоммуникационных серверов
• Промышленные источники питания
• Ступени PFC, ступени ШИМ с жестким переключением и резонансное переключение