STI76NF75 [STMicroelectronics]

STI76NF75 Обзор

Этот тип пробоя известен как "лавинный пробой", а энергия, прикладываемая к MOSFET, называется лавинной энергией, и рейтинг лавинной энергии (Eas) составляет 700 мДж. Максимальная входная емкость этого устройства составляет 3700 пФ @ 25 В, потому что входная емкость операционного усилителя определяется как разница между входными выводами с одним входом на земле. Постоянный стоковый ток (ID) — это максимальный постоянный ток (ID), который устройство может проводить, и он составляет 80 А. Single MOSFETs transistor is the voltage across the gate-source terminal of a transistor that determines the gate-source voltage, VGS. Для поддержания нормальной работы рекомендуется, чтобы напряжение пробоя DS оставалось выше 75 В. Напряжение сток-исток (Vdss) этого транзистора должно быть 75 В для работы. Используя напряжение привода (10 В), это устройство помогает уменьшить потребление мощности.

STI76NF75 Особенности

рейтинг лавинной энергии (Eas) составляет 700 мДж
постоянный стоковый ток (ID) 80 А
напряжение сток-исток 75 В (Vdss)

STI76NF75 Применения

Существует множество применений одиночных транзисторов MOSFET STMicroelectronics STI76NF75.

• Микро-солнечный инвертор
• DC/DC преобразователи
• Электроинструменты
• Приводы двигателей и источники бесперебойного питания
• Синхронный выпрямление
• Схема защиты аккумулятора
• Телекоммуникационные источники питания серверов
• Промышленные источники питания
• Ступени PFC, ступени PWM с жестким переключением и резонансное переключение
• Ступени PWM для, например, PC Silverbox, адаптеров, LCD и PDP телевизоров,