Name: STP11N52K3
Brand: STMicroelectronics
SKU: STP11N52K3

STP11N52K3 Обзор

В этом случае МОП-транзистор подвержен лавинному пробою, приложенная энергия называется лавинной энергией, и рейтинг лавинной энергии (Eas) для МОП-транзистора составляет 170 мДж. Как параметр входной емкости операционного усилителя, CI определяется как емкость между входными клеммами, когда один вход заземлен, максимальная входная емкость этого устройства составляет 1400 пФ при 50 В. Это устройство проводит непрерывный стоковый ток (ID) 10 А, что является максимальным непрерывным током, который может проводить транзистор. Используя VGS=525 В и указанное значение ID, напряжение пробоя сток-исток — это VDS, при котором протекает указанное значение ID. Это устройство имеет напряжение пробоя сток-исток 525 В (то есть, нет потока заряда от стока к истоку). Когда устройство выключено, происходит задержка выключения 281 нс, так как входная емкость заряжается перед началом проводимости стокового тока. Импульсный стоковый ток — это максимальный пиковый стоковый ток 40 А. Перед началом проводимости стокового тока устройство имеет задержку включения, которая занимает время для зарядки его входной емкости. Это время задержки составляет 7 нс. Напряжение на клемме затвор-исток МОП-транзистора, называемое напряжением затвор-исток или VGS, может быть 30 В. Активация любой электрической операции происходит при пороговом напряжении, и этот транзистор имеет пороговое напряжение 3,75 В. Для уменьшения потребления мощности это устройство использует напряжение привода 10 В (10 В).

STP11N52K3 Особенности

рейтинг лавинной энергии (Eas) составляет 170 мДж
непрерывный стоковый ток (ID) 10 А
напряжение пробоя сток-исток 525 В
время задержки выключения 281 нс
на основе его номинального пикового стокового тока 40 А.
пороговое напряжение 3,75 В