Name: STP13N95K3
Brand: STMicroelectronics
SKU: STP13N95K3

Обзор STP13N95K3

В результате лавинного пробоя, энергия, приложенная к MOSFET, называется лавинной энергией, а номинальное значение лавинной энергии составляет 400 мДж. Максимальная входная емкость устройства составляет 1620 пФ при 100 В, но параметр входной емкости, CI, измеряется как емкость между входными клеммами устройства при заземлении одного из входов. Непрерывный стоковый ток для этого устройства составляет 10 А. Стоковый ток относится к способности устройства проводить непрерывный ток. Single MOSFETs transistor is the voltage at which VDS flows at a specified ID value, wSingle MOSFETs transistorh VGS=950V, and this device has a drain-to-source breakdown voltage of 950V voltage. Время задержки выключения устройства — это время, необходимое для зарядки его входной емкости перед началом проводимости стокового тока, которое составляет 50 нс. Максимальный импульсный стоковый ток составляет 40 А, что также является его максимальным номинальным пиковым стоковым током. Перед началом проводимости стокового тока входная емкость устройства должна быть заряжена, поэтому время задержки составляет 18 нс. Обычно напряжение затвор-исток (VGS) транзистора FET — это напряжение между его затвором и истоком, которое составляет 30 В. Пороговое напряжение электрического устройства определяет, когда начнется любая из его операций, и у этого транзистора пороговое напряжение составляет 4 В. Это устройство не использует напряжение привода (10 В) для снижения общего энергопотребления.

Особенности STP13N95K3

номинальное значение лавинной энергии (Eas) составляет 400 мДж
непрерывный стоковый ток (ID) 10 А
напряжение пробоя сток-исток 950 В
время задержки выключения составляет 50 нс
на основе его номинального пикового стокового тока 40 А.
пороговое напряжение 4 В