Name: STP2N80K5
Brand: STMicroelectronics
SKU: STP2N80K5

STP2N80K5 Overview

В результате лавинного пробоя энергия, приложенная к MOSFET, называется лавинной энергией, и рейтинг лавинной энергии составляет 60.5 мДж. Максимальная входная емкость устройства составляет 95 пФ @ 100 В, но его параметр входной емкости, CI, измеряется как емкость между входными клеммами устройства с заземленным любым входом. Его непрерывный стоковый ток составляет 2 А для этого устройства. Стоковый ток относится к способности устройства проводить непрерывный ток. Single MOSFETs transistor - это напряжение, при котором VDS протекает при заданном значении ID, wSingle MOSFETs transistorh VGS=800V, и это устройство имеет напряжение пробоя сток-исток 800 В. Его стоковый ток составляет 2 А, и это максимальный непрерывный ток, который устройство может проводить. Время задержки выключения устройства - это время, необходимое для зарядки его входной емкости перед началом проводимости стокового тока, которое составляет 19 нс. Его максимальный импульсный стоковый ток составляет 8 А, что также является его максимальным рейтингом пикового стокового тока. Перед началом проводимости стокового тока входная емкость устройства должна быть заряжена, поэтому время задержки составляет 8 нс. Обычно напряжение затвор-исток (VGS) транзистора FET - это напряжение между его клеммами затвора и истока, которое составляет 30 В. Это устройство использует напряжение привода 10 В для снижения общего энергопотребления.

STP2N80K5 Features

рейтинг лавинной энергии (Eas) составляет 60.5 мДж
непрерывный стоковый ток (ID) 2 А
напряжение пробоя сток-исток 800 В
время задержки выключения составляет 19 нс
на основе его номинального пикового стокового тока 8 А.