Name: STP2NK60Z
Brand: STMicroelectronics
SKU: STP2NK60Z

STP2NK60Z [STMicroelectronics]

Номер детали:

STP2NK60Z

Категория:

Транзисторы

Производитель:

STMicroelectronics

Описание:

MOSFET (Метал-Оксид) N-канальный Tube 8 ? @ 700mA, 10V ±30V 170pF @ 25V 10nC @ 10V TO-220-3

Упаковка:

-

Статус RoHS:

Даташит:

Статус производства:

Статус наличия:

Спецификация

Тип

Параметр

Mount

Through Hole

Mounting Type

Through Hole

Package / Case

TO-220-3

Number of Pins

Transistor Element Material

SILICON

Operating Temperature

-55°C~150°C TJ

Packaging

Tube

JESD-609 Code

Part Status

Obsolete

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Number of Terminations

Resistance

8Ohm

Terminal Finish

Matte Tin (Sn)

Voltage - Rated DC

600V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Current Rating

1.4A

Base Part Number

STP2N

Pin Count

Number of Elements

Power Dissipation-Max

45W Tc

Element Configuration

Single

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Power Dissipation

45W

Turn On Delay Time

8 ns

FET Type

N-Channel

Transistor Application

SWITCHING

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

170pF @ 25V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C

1.4A Tc

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 10V

Rise Time

30ns

Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±30V

Fall Time (Typ)

55 ns

Turn-Off Delay Time

22 ns

Continuous Drain Current (ID)

1.4A

Threshold Voltage

3.75V

JEDEC-95 Code

TO-220AB

Gate to Source Voltage (Vgs)

30V

Drain to Source Breakdown Voltage

600V

Pulsed Drain Current-Max (IDM)

Avalanche Energy Rating (Eas)

90 mJ

REACH SVHC

No SVHC

Radiation Hardening

RoHS Status

RoHS Compliant

Lead Free

Детали продукта

STP2NK60Z Описание

The STP2NK60Z становится возможным благодаря тщательной оптимизации известной компоновки PowerMESHTM на основе полос ST. Кроме снижения сопротивления в открытом состоянии, особое внимание уделяется обеспечению превосходной способности dv/dt для наиболее требовательных применений. Комплексный портфель высоковольтных MOS-FET от ST, включая инновационные устройства MDmeshTM, дополняется этой серией.

STP2NK60Z Особенности

типичное rds(on) = 7.2 ?
чрезвычайно высокая способность dv/dt
улучшенная способность ESD
100% протестировано на лавинный пробой
новый высоковольтный эталон
заряд затвора минимизирован

STP2NK60Z Применения

зарядные устройства для аккумуляторов низкой мощности
импульсные источники питания низкой мощности (SMPS)
низкой мощности, балласты, КЛЛ (компактные люминесцентные лампы)

Ключевые особенности

Ключевые особенности недоступны

Сценарии применения

Сценарии применения недоступны

Документы

Datasheets:

STF2NK60Z(x)

Запрос

Ищете цены? Свяжитесь с нами для получения оптовых цен.

Доставка и гарантия

Быстрая отправка: Отправка в течение 5-7 дней (товары в наличии в течение 1-2 дней)

Глобальный экспорт Unishop: 1-7 дней, $40.00

Гарантированная доставка: От двери до двери за 30 дней

Соответствующая мировая доставка: DHL, FedEx, SF и UPS.

Особенности

30-дневная гарантия
Быстрая доставка
Беспроблемный возврат
Безопасный способ оплаты

ВАЖНОЕ УВЕДОМЛЕНИЕ

Коммерческие предложения зависят от наличия товара на складе и могут меняться в зависимости от рыночных условий. Цены и сроки поставки не гарантируются до подтверждения заказа на покупку. Убедитесь, что ваши контактные данные указаны правильно, чтобы избежать задержек в ответе.