
K4FBE3D4HM-GHCL
SAMSUNG

Эта серия Power MOSFET, которая была создана с использованием уникальной STripFET technology STMicroelectronics, была создана с целью уменьшения входной емкости и заряда затвора. В результате, она может использоваться в качестве основного переключателя в сложных изолированных DC-DC преобразователях с высокой эффективностью. Этот продукт предназначен для общего использования и может применяться в различных ситуациях.
Заряд затвора был уменьшен.
Низкие собственные емкости
Исключительная согласованность производства
(RDS*Qg) Отличный показатель качества
Полностью защищено от лавинного пробоя
DC-DC преобразователи
Ключевые особенности недоступны
Сценарии применения недоступны
Ищете цены? Свяжитесь с нами для получения оптовых цен.
Быстрая отправка: Отправка в течение 5-7 дней (товары в наличии в течение 1-2 дней)
Глобальный экспорт Unishop: 1-7 дней, $40.00
Гарантированная доставка: От двери до двери за 30 дней
Соответствующая мировая доставка: DHL, FedEx, SF и UPS.
ВАЖНОЕ УВЕДОМЛЕНИЕ
Коммерческие предложения зависят от наличия товара на складе и могут меняться в зависимости от рыночных условий. Цены и сроки поставки не гарантируются до подтверждения заказа на покупку. Убедитесь, что ваши контактные данные указаны правильно, чтобы избежать задержек в ответе.

K4FBE3D4HM-GHCL
SAMSUNG
CSDM65295
Texas Instruments

MIMX8MQ6DVAJZAB
NXP

K4AAG085WA-BIWE
SAMSUNG
H9TQ26ADFTACUR-KUM
SK HYNIX

MTFC4GACAJCN-4M IT
Micron

MT53E2G32D4DE-046 AAT:C
Micron
IS43LQ32256A-062BLI
ISSI

M25P80-VMW6TG
Micron

K4AAG165WA-BCWE
SAMSUNG
Нет недавно просмотренных товаров