STP45NE06 [STMicroelectronics]

STP45NE06 Обзор

Когда напряжение превышает напряжение пробоя MOSFET, происходит явление пробоя и течет ток. Это называется лавинным пробоем, и энергия, приложенная к MOSFET, называется лавинной энергией, а номинальная лавинная энергия (Eas) составляет 150 мДж. Параметр входной емкости, CI, определяется как емкость между входными выводами операционного усилителя с заземленным любым входом, а максимальная входная емкость этого устройства составляет 3600 пФ @ 25 В. Ток стока — это максимальный непрерывный ток, который устройство может проводить, и непрерывный ток стока (ID) этого устройства составляет 45 А. Напряжение пробоя сток-исток — это VDS, при котором течет заданное значение ID, с VGS=60 В. И это устройство имеет напряжение пробоя сток-исток 60 В. IDM — это максимальный номинальный пиковый ток стока для силового MOSFET, и его максимальный импульсный ток стока составляет 180 А. Напряжение затвор-исток, VGS, транзистора FET — это напряжение, которое падает на выводах затвор-исток транзистора, и его напряжение может быть 20 В. Используя напряжение привода (10 В), это устройство помогает снизить общее энергопотребление.

STP45NE06 Особенности

номинальная лавинная энергия (Eas) составляет 150 мДж
непрерывный ток стока (ID) 45 А
напряжение пробоя сток-исток 60 В
на основе его номинального пикового тока стока 180 А.

STP45NE06 Применения

Существует множество применений STMicroelectronics STP45NE06 в одиночных транзисторах MOSFET.

• LCD/LED телевизоры
• Бытовые приборы
• Освещение
• Источники бесперебойного питания
• AC-DC блоки питания
• Синхронный выпрямление для ATX 1 Сервер Телеком Блок питания
• Приводы двигателей и источники бесперебойного питания
• Микро-солнечные инверторы
• DC/DC преобразователи
• Электроинструменты