STPLED524 Overview

Пробой MOSFET называется "лавинным пробоем", и лавинная энергия, приложенная к транзистору, оценивается в 110 мДж (Eas).Входная емкость операционного усилителя определяется как емкость между обоими его входными клеммами с заземленным любым входом, и 340 пФ @ 100 В является его максимальной входной емкостью.Ток стока — это максимальный непрерывный ток, который может проводить устройство, и это устройство имеет непрерывный ток стока 4 А (ID).Ток стока относится к максимальному непрерывному току, который может проводить устройство, и он составляет 4 А.Входная емкость должна быть заряжена перед началом проводимости тока стока, поэтому время задержки выключения составляет 21 нс.Перед началом проводимости тока стока входная емкость устройства должна быть заряжена, поэтому время задержки составляет 8 нс.Напряжение затвор-исток транзистора FET, VGS, указывает, какое напряжение приложено между клеммами затвора и истока транзистора, и оно может варьироваться от 30 В до 1 В.Нормальная работа требует, чтобы напряжение пробоя DS оставалось выше 525 В.Чтобы этот транзистор работал, требуется напряжение 525 В между стоком и истоком (Vdss).Используя напряжение привода (10 В), это устройство способствует снижению общего энергопотребления.

STPLED524 Features

рейтинг лавинной энергии (Eas) составляет 110 мДж
непрерывный ток стока (ID) 4 А
время задержки выключения составляет 21 нс
напряжение сток-исток 525 В (Vdss)

STPLED524 Applications

Существует множество STMicroelectronics
STPLED524 применений одиночных транзисторов MOSFET.

• Источник питания AC-DC
• Синхронная выпрямление для ATX 1 Сервер И Телеком PSU
• Приводы двигателей и источники бесперебойного питания
• Микро-солнечный инвертор
• Преобразователи DC/DC
• Электроинструменты
• Приводы двигателей и источники бесперебойного питания
• Синхронное выпрямление
• Схема защиты аккумулятора
• Телеком 1 Сервер Источники питания