Номер детали:
SO692
Категория:
Транзисторы
Описание:
PNP 150°C TJ 100nA ICBO 1 элемент 3 вывода Кремниевый PNP TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) поверхностный монтаж
Упаковка:
-
Статус производства:
Статус наличия:
Спецификация
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Transistor Element Material
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Peak Reflow Temperature (Cel)
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)
Collector Emitter Voltage (VCEO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
Current - Collector Cutoff (Max)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
Collector Emitter Breakdown Voltage
Collector Base Voltage (VCBO)
Emitter Base Voltage (VEBO)
Детали продукта
SO692 Overview
Коэффициент усиления по постоянному току равен отношению тока коллектора к току базы, что-то вроде Ic/Ib, и у этого устройства коэффициент усиления по постоянному току составляет 25 @ 30mA 10V. Насыщение VCE указывает, что Ic находится на максимальном уровне (насыщено), тогда как насыщение VCE (Max) указывает на отсутствие насыщения. Поддержание напряжения эмиттер-база на уровне -5V может привести к высокому уровню эффективности. Согласно определению, номинальный ток описывает максимальный ток, который предохранитель может выдерживать бесконечно без значительного ухудшения, и у этого устройства нет номинального тока. Частота перехода в этом компоненте составляет 50MHz. Один транзистор BJT может выйти из строя при напряжении 300V. Когда ток коллектора достигает своего максимума, он может достигать 100mA.
SO692 Features
Коэффициент усиления по постоянному току для этого устройства составляет 25 @ 30mA 10V
Насыщение VCE (Max) составляет 500mV @ 2mA, 20mA
Напряжение эмиттер-база поддерживается на уровне -5V
Номинальный ток этого устройства составляет -100mA
Частота перехода 50MHz
SO692 Applications
Есть много применений STMicroelectronics
SO692 одиночных транзисторов BJT.
- Инвертор
- Интерфейс
- Драйвер
- Заглушение
Ключевые особенности
Ключевые особенности недоступны
Сценарии применения
Сценарии применения недоступны
Документы