Name: STU4N80K5
Brand: STMicroelectronics
SKU: STU4N80K5

STU4N80K5 Overview

Этот тип пробоя известен как "лавинный пробой", и энергия, прикладываемая к MOSFET, называется лавинной энергией, а рейтинг лавинной энергии (Eas) составляет 74.5 мДж. Максимальная входная емкость этого устройства составляет 175 пФ @ 100 В, потому что входная емкость операционного усилителя определяется как разность между входными клеммами с одним входом на земле. Непрерывный стоковый ток (ID) — это максимальный непрерывный ток (ID), который устройство может проводить, и он составляет 3 А. Как показано в таблице ниже, стоковый ток этого устройства составляет 3 А. Перед тем как может начаться проводимость стокового тока, время задержки выключения устройства должно быть заряжено до полной емкости. Это значение составляет 36 нс. Во время включения устройства входная емкость должна быть заряжена в течение некоторого времени, прежде чем может начаться проводимость стокового тока, поэтому время задержки составляет 16.5 нс. Одиночный транзистор MOSFET — это напряжение между затвором и истоком транзистора, которое определяет напряжение затвор-исток, VGS. Для поддержания нормальной работы рекомендуется, чтобы напряжение пробоя DS оставалось выше 800 В. Напряжение сток-исток (Vdss) этого транзистора должно быть 800 В для работы. Используя напряжение привода (10 В), это устройство помогает уменьшить его потребление мощности.

STU4N80K5 Features

рейтинг лавинной энергии (Eas) составляет 74.5 мДж
непрерывный стоковый ток (ID) 3 А
время задержки выключения составляет 36 нс
напряжение сток-исток 800 В (Vdss)