Name: STB20N65M5
Brand: STMicroelectronics
SKU: STB20N65M5

STB20N65M5 [STMicroelectronics]

Номер детали:

STB20N65M5

Категория:

Транзисторы

Производитель:

STMicroelectronics

Описание:

MOSFET (Метал-Оксид) N-канальный лента и кассета (TR) 190m ? @ 9A, 10V ±25V 1434pF @ 100V 36nC @ 10V 650V TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Упаковка:

-

Статус RoHS:

Даташит:

Статус производства:

Статус наличия:

Спецификация

Тип

Параметр

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)

Factory Lead Time

17 Weeks

Mount

Surface Mount

Mounting Type

Surface Mount

Package / Case

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Number of Pins

Transistor Element Material

SILICON

Operating Temperature

150°C TJ

Packaging

Tape & Reel (TR)

Part Status

Active

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Number of Terminations

ECCN Code

EAR99

Resistance

190MOhm

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Terminal Form

GULL WING

Base Part Number

STB20N

JESD-30 Code

R-PSSO-G2

Number of Elements

Power Dissipation-Max

130W Tc

Element Configuration

Single

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Case Connection

DRAIN

FET Type

N-Channel

Transistor Application

SWITCHING

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

1434pF @ 100V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C

18A Tc

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

36nC @ 10V

Rise Time

7.5ns

Drain to Source Voltage (Vdss)

650V

Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±25V

Fall Time (Typ)

7.5 ns

Continuous Drain Current (ID)

18A

Gate to Source Voltage (Vgs)

25V

Drain to Source Breakdown Voltage

710V

Pulsed Drain Current-Max (IDM)

72A

Avalanche Energy Rating (Eas)

270 mJ

Radiation Hardening

RoHS Status

RoHS Compliant

Lead Free

Детали продукта

Описание STB20N65M5

Устройство STB20N65M5 является N-канальным MDmesh? V Power MOSFET, основанным на инновационной собственной вертикальной процессорной технологии, которая объединена с известной горизонтальной структурой компоновки PowerMESH? от STMicroelectronics. Результатом продукта является чрезвычайно низкое сопротивление в открытом состоянии, которое не имеет аналогов среди кремниевых Power MOSFET, что делает его особенно подходящим для приложений, требующих превосходной плотности мощности и выдающейся эффективности.

Особенности STB20N65M5

Лучший в мире R_DS(on) * площадь
Более высокий рейтинг V_DSS и высокая способность dv/dt
Отличная коммутационная производительность
100% протестировано на лавинный пробой
Соответствует ROHS3
Без свинца
Без радиационного упрочнения

Применения STB20N65M5

Коммутационные приложения
Новые энергетические транспортные средства
Фотоэлектрическая генерация
Ветроэнергетическая генерация
Умная сеть

Ключевые особенности

Ключевые особенности недоступны

Сценарии применения

Сценарии применения недоступны

Документы

Datasheets:

STx20N65M5 STB20N65M5-STMicroelectronics-datasheet-62335157.pdf STB20N65M5-STMicroelectronics-datasheet-13195471.pdf

Запрос

Ищете цены? Свяжитесь с нами для получения оптовых цен.

Доставка и гарантия

Быстрая отправка: Отправка в течение 5-7 дней (товары в наличии в течение 1-2 дней)

Глобальный экспорт Unishop: 1-7 дней, $40.00

Гарантированная доставка: От двери до двери за 30 дней

Соответствующая мировая доставка: DHL, FedEx, SF и UPS.

Особенности

30-дневная гарантия
Быстрая доставка
Беспроблемный возврат
Безопасный способ оплаты

ВАЖНОЕ УВЕДОМЛЕНИЕ

Коммерческие предложения зависят от наличия товара на складе и могут меняться в зависимости от рыночных условий. Цены и сроки поставки не гарантируются до подтверждения заказа на покупку. Убедитесь, что ваши контактные данные указаны правильно, чтобы избежать задержек в ответе.