Logo
Контакты
Политика использования файлов cookie
Условия использования
Политика конфиденциальности
phone
Vivi (Продажи)
phone
Lucy (Продажи)
phone
Ban (Продажи)
phone
+86 755-2845-3125
Список RFQ
  • open navigation menu
    • Logo
    • Список RFQ
      • Производители
      • Популярные товары
      • RFQ
      • Блог
      • Инструменты
      • Решения для закупок
      • PCB/SMT
      • О нас
    Знак сертификации
    Знак сертификации
    Знак сертификации
    Знак сертификации
    Знак сертификации
    Знак сертификации
    Знак сертификации
    Знак сертификации
    Знак сертификации
    Знак сертификации
    Знак сертификации
    Знак сертификации
    СВЯЖИТЕСЬ С НАМИ
    +86 755-2845-3125
    [email protected][email protected][email protected]
    Комната 2709B, Офисное здание 5A, Longguang Jiuzuan, Hongshan, район Longhua, Шэньчжэнь, Китай
    Компания
    • Блог
    • О нас
    • Контакты
    Ресурсы
    • Категории
    • Производители
    • Инструменты
    • RFQ
    Быстрые ссылки
    • Политика конфиденциальности
    • Условия использования
    • Политика использования файлов cookie
    • Политика возврата и возмещения
    • Политика доставки
    Оплата
    • Способ оплаты
    • Способ оплаты
    • Способ оплаты
    • Способ оплаты
    Логистика
    • Логистический партнёр
    • Логистический партнёр
    • Логистический партнёр
    • Логистический партнёр

    © 2026 Авторское право. Все права защищены. Сделано ICAllIn

    Номер детали
    Номер детали
    1. Главная/
    2. Все категории/
    3. Дискретные полупроводники/
    4. Транзисторы/
    5. 2SD2012 STMicroelectronics

    2SD2012 [STMicroelectronics]

    2SD2012
    2SD2012

    Номер детали:

    2SD2012

    Категория:

    Транзисторы

    Производитель:

    STMicroelectronics

    Описание:

    NPN 150°C TJ 100?A ICBO 1 Элементы 3 Терминации Кремний NPN TO-220-3 Полная Упаковка Трубка Сквозной Отверстие

    Статус RoHS:

    FAQ по продукту

    1. Доступен ли 2SD2012 для RFQ?

    Да. 2SD2012 от STMicroelectronics доступен для RFQ. Укажите необходимое количество, и наша команда подтвердит актуальный остаток, срок поставки и оптовую цену.

    2. Почему для 2SD2012 нет фиксированной цены?

    Цена на 2SD2012 может зависеть от количества заказа, доступности на рынке, date code, упаковки и страны доставки. Запросите предложение, чтобы получить актуальную оптовую цену.

    3. Какие ключевые характеристики у 2SD2012?

    2SD2012 — это Транзисторы STMicroelectronics с такими характеристиками: Packaging: Tube и DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA 5V и Collector Emitter Saturation Voltage: 400mV. Ознакомьтесь с деталями продукта или отправьте RFQ, если нужна проверка перед покупкой.

    4. Как быстро я получу предложение по 2SD2012?

    Наша команда продаж обычно отвечает в течение 24 часов после получения RFQ. Предложение может включать статус наличия, цену за единицу, срок поставки, варианты доставки и доступные альтернативы.

    5. Как скоро можно отправить 2SD2012?

    Если наличие подтверждено, товары со склада обычно могут быть отправлены в течение 1–2 рабочих дней. Итоговый срок зависит от количества, источника склада и страны доставки.

    6. Можете ли вы предложить альтернативы для 2SD2012?

    Да. Если 2SD2012 недоступен, снят с производства или не подходит по срокам поставки, мы поможем проверить похожие позиции STMicroelectronics в категории Транзисторы или совместимые альтернативы.

    Запрос

    Номер детали:

    2SD2012

    Производитель:

    STMicroelectronics

    Ищете цены? Свяжитесь с нами для получения оптовых цен.

    ВАЖНОЕ УВЕДОМЛЕНИЕ

    Коммерческие предложения зависят от наличия товара на складе и могут меняться в зависимости от рыночных условий. Цены и сроки поставки не гарантируются до подтверждения заказа на покупку. Убедитесь, что ваши контактные данные указаны правильно, чтобы избежать задержек в ответе.

    Рекомендуемый товар

    Даташит:

    Статус наличия:

    Доступно для RFQ

    Цена:

    Запросить оптовую цену

    Ответ на запрос:

    В течение 24 часов

    Доставка:

    Товары в наличии отправляются в течение 1–2 рабочих дней

    Спецификация

    Тип
    Параметр
    Contact Plating
    Tin
    Mount
    Through Hole
    Mounting Type
    Through Hole
    Package / Case
    TO-220-3 Full Pack
    Number of Pins
    3
    Transistor Element Material
    SILICON
    Operating Temperature
    150°C TJ
    Packaging
    Tube
    JESD-609 Code
    e3
    Pbfree Code
    yes
    Part Status
    Obsolete
    Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
    Number of Terminations
    3
    ECCN Code
    EAR99
    Max Power Dissipation
    25W
    Base Part Number
    2SD2
    Pin Count
    3
    Number of Elements
    1
    Element Configuration
    Single
    Power Dissipation
    25W
    Case Connection
    ISOLATED
    Transistor Application
    SWITCHING
    Gain Bandwidth Product
    3MHz
    Polarity/Channel Type
    NPN
    Transistor Type
    NPN
    Collector Emitter Voltage (VCEO)
    60V
    Max Collector Current
    3A
    DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    100 @ 500mA 5V
    Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
    1V @ 200mA, 2A
    Collector Emitter Breakdown Voltage
    60V
    Current - Collector (Ic) (Max)
    3A
    Transition Frequency
    3MHz
    Collector Emitter Saturation Voltage
    400mV
    Collector Base Voltage (VCBO)
    60V
    Emitter Base Voltage (VEBO)
    7V
    hFE Min
    20
    REACH SVHC
    No SVHC
    Radiation Hardening
    No
    RoHS Status
    RoHS Compliant
    Lead Free
    Lead Free

    Детали продукта

    Обзор 2SD2012


    Поскольку dc = Ic/Ib, коэффициент усиления постоянного тока является отношением базового тока к коллекторному току, и коэффициент усиления постоянного тока для этого устройства составляет 100 @ 500mA 5V.Насыщенное напряжение коллектор-эмиттер составляет 400 мВ, что обеспечивает максимальную гибкость проектирования.Когда насыщение VCE составляет 1В @ 200мА, 2А, это означает, что Ic достиг максимального значения транзистора (насыщенного).Напряжения эмиттер-база 7В могут достигать высоких уровней эффективности.В этом компоненте частота перехода составляет 3 МГц.Можно достичь максимального коллекторного тока 3А вольт.

    Особенности 2SD2012


    коэффициент усиления постоянного тока для этого устройства составляет 100 @ 500mA 5V
    напряжение насыщения коллектор-эмиттер 400 мВ
    насыщение vce (Макс) составляет 1В @ 200мА, 2А
    напряжение эмиттер-база поддерживается на уровне 7В
    частота перехода 3 МГц


    Применения 2SD2012


    Существует множество применений STMicroelectronics
    2SD2012 для одиночных транзисторов BJT.


    • Инвертор
    • Интерфейс
    • Драйвер
    • Заглушение

    Документы

    Datasheets:

    2SD2012
    Доставка и гарантия

    Быстрая отправка: Отправка в течение 5-7 дней (товары в наличии в течение 1-2 дней)

    Глобальный экспорт Unishop: 1-7 дней, $40.00

    Гарантированная доставка: От двери до двери за 30 дней

    Соответствующая мировая доставка: DHL, FedEx, SF и UPS.

    Особенности

    • 30-дневная гарантия
      30-дневная гарантия
    • Быстрая доставка
      Быстрая доставка
    • Беспроблемный возврат
      Беспроблемный возврат
    • Безопасный способ оплаты
      Безопасный способ оплаты

    BEST SELL
    ATSAME70Q20B-AN

    ATSAME70Q20B-AN

    Microchip

    BEST SELL
    TMS5700432APZQQ1

    TMS5700432APZQQ1

    Texas Instruments

    BEST SELL
    TLP2361(TPL,E(T

    TLP2361(TPL,E(T

    TOSHIBA

    BEST SELL
    VN7050AJTR

    VN7050AJTR

    STMicroelectronics

    BEST SELL
    H5AN4G6NBJR-UHI

    H5AN4G6NBJR-UHI

    SK HYNIX

    BEST SELL
    SBAV99LT1G

    SBAV99LT1G

    Onsemi

    BEST SELL
    MIMX8MQ6DVAJZAB

    MIMX8MQ6DVAJZAB

    NXP

    BEST SELL
    MT41K128M16JT-125 IT:KTR

    MT41K128M16JT-125 IT:KTR

    Unknown

    BEST SELL
    K4AAG165WA-BCWE

    K4AAG165WA-BCWE

    SAMSUNG

    BEST SELL
    MX25L12835FMI-10G/TR

    MX25L12835FMI-10G/TR

    MACRONIX

    Связанная информация
    • Номер детали
      Производитель
      Статус наличия
      Цена
      RoHS/даташит
    • A2C35S12M3
      STMicroelectronics
      Доступно для RFQ
      Запросить оптовую цену
    • STL42P6LLF6
      STMicroelectronics
      Доступно для RFQ
      Запросить оптовую цену
    • STP55NF06LFP
      STMicroelectronics
      Доступно для RFQ
      Запросить оптовую цену
      -
    • STL20DN10F7
      STMicroelectronics
      Доступно для RFQ
      Запросить оптовую цену
    • STI15NM60N
      STMicroelectronics
      Доступно для RFQ
      Запросить оптовую цену
    • STB22N60M6
      STMicroelectronics
      Доступно для RFQ
      Запросить оптовую цену
    • STD19N3LLH6AG
      STMicroelectronics
      Доступно для RFQ
      Запросить оптовую цену
    • STGWT38IH130D
      STMicroelectronics
      Доступно для RFQ
      Запросить оптовую цену
    • BD235
      STMicroelectronics
      Доступно для RFQ
      Запросить оптовую цену
    • STI5N52U
      STMicroelectronics
      Доступно для RFQ
      Запросить оптовую цену

    BF421-AP

    BF421-AP

    STMicroelectronics

    BULT118M

    BULT118M

    STMicroelectronics

    FERD40L60CTS

    FERD40L60CTS

    STMicroelectronics

    2STW200

    2STW200

    STMicroelectronics

    2STL2580

    2STL2580

    STMicroelectronics

    STD11N60DM2

    STD11N60DM2

    STMicroelectronics

    STD150N2LH5

    STD150N2LH5

    STMicroelectronics

    2STA2120

    2STA2120

    STMicroelectronics

    PD85025-E

    PD85025-E

    STMicroelectronics

    STB45N65M5

    STB45N65M5

    STMicroelectronics

    Discrete & Power Modules(14567)Thyristors(12548)Diodes & Rectifiers(136426)

    Нет недавно просмотренных товаров