STW18N65M5 Overview

В результате лавинного пробоя, энергия, приложенная к MOSFET, называется лавинной энергией, и рейтинг лавинной энергии составляет 210 мДж. Максимальная входная емкость устройства составляет 1240пФ @ 100В, но его параметр входной емкости, CI, измеряется как емкость между входными клеммами устройства с заземленным любым входом. Его непрерывный стоковый ток для этого устройства составляет 15А. Стоковый ток относится к способности устройства проводить непрерывный ток. Одиночный транзистор MOSFET — это напряжение, при котором VDS протекает при заданном значении ID, с VGS=650В, и это устройство имеет напряжение пробоя сток-исток 650В. Его максимальный импульсный стоковый ток составляет 60А, что также является его максимальным рейтингом пикового стокового тока. Обычно напряжение затвор-исток (VGS) транзистора FET — это напряжение между его клеммами затвора и истока, которое составляет 25В. Это устройство не использует напряжение привода (10В) для снижения общего энергопотребления.

STW18N65M5 Features

рейтинг лавинной энергии (Eas) составляет 210 мДж
непрерывный стоковый ток (ID) 15А
напряжение пробоя сток-исток 650В
на основе его номинального пикового стокового тока 60А.

STW18N65M5 Applications

Есть много STMicroelectronics
STW18N65M5 применений одиночных транзисторов MOSFET.

• Электроинструменты
• Приводы двигателей и источники бесперебойного питания
• Синхронный выпрямитель
• Цепь защиты аккумулятора
• Питание для телеком серверов
• Промышленные источники питания
• Ступени PFC, ступени ШИМ с жестким переключением и резонансное переключение
• Ступени ШИМ для например PC Silverbox, адаптер, LCD и PDP TV,
• Освещение, Сервер, Телеком и ИБП.
• DC-DC преобразователи