Обзор STW35N65M5

Пробой MOSFET называется "лавинный пробой", и лавинная энергия, приложенная к транзистору, оценивается в 800 мДж (Eas).Входная емкость операционного усилителя определяется как емкость между обоими его входными выводами с заземленным любым входом, и 3750пФ @ 100В является его максимальной входной емкостью.Ток стока является максимальным непрерывным током, который устройство может проводить, и это устройство имеет непрерывный ток стока 27А (ID).Напряжение пробоя сток-исток соответствует напряжению, при котором течет заданное значение ID, где VGS составляет 650В, и это устройство имеет напряжение пробоя сток-исток 650VV.Входная емкость должна быть заряжена перед началом проводимости тока стока, поэтому время задержки выключения составляет 60 нс.Перед началом проводимости тока стока входная емкость устройства должна быть заряжена, поэтому время задержки составляет 60 нс.Напряжение затвор-исток транзистора FET, VGS, указывает, какое напряжение приложено между выводами затвора и истока транзистора, и оно может варьироваться от 25В до 1.Используя напряжение привода (10В), это устройство способствует снижению общего энергопотребления.

Особенности STW35N65M5

рейтинг лавинной энергии (Eas) составляет 800 мДж
непрерывный ток стока (ID) 27А
напряжение пробоя сток-исток 650В напряжение
время задержки выключения составляет 60 нс

Применения STW35N65M5

Существует множество применений STMicroelectronics STW35N65M5 одиночных транзисторов MOSFET.

• Импульсный источник питания
• Синхронный выпрямление для ATX 1 Сервер И Телеком PSU
• Приводы двигателей и источники бесперебойного питания
• Микро-солнечный инвертор
• DC/DC преобразователи
• Электроинструменты
• Приводы двигателей и источники бесперебойного питания
• Синхронный выпрямление
• Схема защиты аккумулятора
• Телеком 1 Сервер Источники питания