Популярные электронные компоненты – В наличии и готовы к отправке

The K4B4G1646E-BYK0 is a Samsung 4Gb DDR3L-1600 SDRAM memory IC featuring 512MB capacity, 256M × 16 organization, an x16 data bus, 800MHz clock frequency, 1600Mb/s per-pin transfer rate, and an 11-11-11 timing bin. It supports both 1.35V DDR3L and 1.5V DDR3 operation, includes eight memory banks, 8n prefetch, on-die termination, ZQ calibration and programmable latency functions, and is supplied in a compact 96-ball FBGA package measuring approximately 7.5 × 13.3mm. The K4B4G1646E-BYK0 is suitable for embedded computing, smart TVs, set-top boxes, networking equipment, communication processors, FPGA memory systems and legacy processor platforms requiring commercial-temperature 4Gb x16 DDR3L memory. Samsung now identifies its DDR3 family as discontinued, so lifecycle and supply-chain verification are recommended before procurement.

EZ-BT? WICED Series Трансивер; Bluetooth® Смарт Готовый 4.x Двойной режим Плата(ы) 2.4GHz

Флэш, 8MX1, PDSO8, 0.208 ДЮЙМА ШИРИНА, РОГС СООТВЕТСТВУЕТ, SOW-8

MT25QL01GBBB8ESF-0SIT — это последовательная NOR-Flash-память объёмом 1 Гбит и напряжением питания 3 В, выпускаемая компанией Micron Technology. Устройство оснащено интерфейсом SPI / Dual SPI / Quad SPI, тактовой частотой 133 МГц, диапазоном рабочего напряжения питания от 2,7 В до 3,6 В, корпусом SOIC/WSOIC с 16 выводами и промышленным температурным диапазоном от −40 °C до +85 °C. Оно подходит для использования в качестве встраиваемой памяти загрузки, хранения прошивок, конфигурации ПЛИС, хранения BIOS/UEFI, промышленных систем управления, сетевого оборудования, телекоммуникационной инфраструктуры, устройств Интернета вещей (IoT), потребительской электроники и транспортных систем. MT25QL01GBBB8ESF-0SIT обеспечивает надёжную работу последовательной NOR-Flash-памяти Micron в компактных, высокопроизводительных и промышленных встраиваемых решениях хранения данных.

IC FLASH 16Гбит PAR 48TSOP I.FLASH - NAND память ИС 16Гбит параллельный 48-TSOP I

ИС Флэш 256 Мбит SPI 8WPDFN.Флэш - NOR ИС памяти 256 Мбит SPI - Quad I/O 133 МГц 8-WPDFN (6x5)(MLP8)

IС флэш 4 гигабит параллельный 48TSOP I.FLASH - NAND память ИС 4 гигабит параллельный 48-TSOP I

* Микросхема памяти * Серия

ИС ДРАМ 8 Гбит параллельный 96FBGA.СДРАМ - DDR3L ИС памяти 8 Гбит параллельный 933 МГц 20 нс 96-FBGA (8x14)

ИС DRAM 8 гигабит параллельный 96FBGA.SDRAM - DDR3L память ИС 8 гигабит параллельный 933 МГц 20 нс 96-FBGA (8x14)

Микросхема памяти 10.5mm mm

ИС DRAM 2Gbit параллельный 84FBGA.SDRAM - DDR2 ИС памяти 2Gbit параллельный 400 МГц 400 пс 84-FBGA (9x12.5)

MT48H32M16LFB4-6 IT:C is a 512Mb Mobile LPSDR SDRAM memory chip manufactured by Micron Technology. Featuring a 32M × 16 organization, x16 data bus, 166MHz-class clock speed, 5ns access time, compact 54-VFBGA 8mm × 8mm package, and -40°C to +85°C industrial temperature range, it is suitable for embedded computing platforms, industrial control systems, portable devices, networking equipment, medical instruments, and communication modules. The MT48H32M16LFB4-6 IT:C provides reliable low-power Micron mobile SDRAM performance for mature embedded and long-life electronic designs.

MT48LC16M16A2P-6A IT:G — это микросхема оперативной памяти SDR SDRAM объёмом 256 Мбит, выпускаемая компанией Micron Technology. Микросхема имеет организацию 16 М × 16, 16-битную шину данных, тактовую частоту класса 166/167 МГц, работает при напряжении 3,3 В, выполнена в корпусе TSOP с 54 выводами и рассчитана на промышленный температурный диапазон от −40 °C до +85 °C. Она подходит для устаревших встраиваемых вычислительных платформ, промышленных систем управления, сетевого оборудования, потребительской электроники, медицинских устройств и приборов. MT48LC16M16A2P-6A IT:G обеспечивает надёжную производительность SDRAM от Micron в зрелых проектах памяти с питанием 3,3 В и в электронных системах с длительным сроком службы.

MT48LC4M32B2P-6A IT:L — это 128 Мбит SDR SDRAM-микросхема памяти, производимая компанией Micron Technology. Данная микросхема имеет организацию 4 М × 32, 32-битную шину данных, тактовую частоту класса 166/167 МГц, работает при напряжении 3,3 В, выполнена в корпусе TSOP-86 и рассчитана на промышленный температурный диапазон от −40 °C до +85 °C. Она подходит для устаревших встраиваемых вычислительных платформ, промышленных систем управления, сетевого оборудования, потребительской электроники, медицинских устройств и измерительных приборов. Микросхема MT48LC4M32B2P-6A IT:L обеспечивает надёжную работу SDRAM от Micron в зрелых проектах памяти с питанием 3,3 В и в электронных системах с длительным сроком службы.

Автомобильный, AEC-Q100 Микросхема памяти Автомобильный, AEC-Q100 Серия

MTFC2GMDEA-0M WT A — это встроенное устройство флеш-памяти eMMC объёмом 2 ГБ, произведенное компанией Micron Technology. Устройство обладает ёмкостью NAND Flash 16 Гбит, организацией памяти 2 Г × 8, стандартным интерфейсом MMC/eMMC, рабочим напряжением питания от 2,7 В до 3,6 В и компактным корпусом WFBGA с 153 выводами размером 11,5 мм × 13 мм. Оно подходит для встраиваемых вычислительных платформ, промышленных терминалов, сетевого оборудования, потребительской электроники, шлюзов Интернета вещей (IoT), медицинских приборов и интеллектуальных устройств. MTFC2GMDEA-0M WT A обеспечивает надёжное управляемое хранение данных на основе NAND-памяти, упрощает интеграцию в систему и гарантирует стабильную производительность встраиваемой памяти Micron.

4 ГБ eMMC v5.0, -40C до +85C, x8.FLASH - NAND память ИС 32 Гбит eMMC 153-VFBGA (11.5x13)

ИС FLASH 64GBIT MMC 153VFBGA.FLASH - NAND Память ИС 64Gbit MMC 153-VFBGA (11.5x13)

KHBB84A03B-MC1J — это 24 ГБ устройства высокопроизводительной памяти HBM3E, произведенное компанией Samsung. Благодаря широкому интерфейсу HBM, передовой многоуровневой архитектуре DRAM и высокоскоростным характеристикам HBM3E оно предназначено для ускорителей ИИ, графических процессоров центров обработки данных, систем высокопроизводительных вычислений, серверов машинного обучения, передовых специализированных интегральных схем вычислений и облачных платформ ускорения. KHBB84A03B-MC1J обеспечивает высокую пропускную способность памяти, компактную интеграцию и надежные технологии HBM компании Samsung для аппаратного обеспечения следующего поколения в области искусственного интеллекта и центров обработки данных.

KHBBC4B03C-MC1K — это 36 ГБ устройство высокопроизводительной памяти HBM3E, произведенное компанией Samsung. Благодаря скорости передачи данных 9,2 Гбит/с, высокой ёмкости и многоуровневой архитектуре DRAM, а также современному интерфейсу HBM оно предназначено для ускорителей искусственного интеллекта, графических процессоров центров обработки данных, систем высокопроизводительных вычислений, серверов машинного обучения и специализированных интегральных схем (ASIC) для сложных вычислений. Модель KHBBC4B03C-MC1K обеспечивает исключительно высокую пропускную способность, компактную интеграцию и надёжную производительность памяти HBM3E от Samsung для платформ искусственного интеллекта и центров обработки данных следующего поколения.

Высокопроизводительная память обеспечивает более быстрые и мощные решения. Samsung DDR4 обеспечивает максимальную скорость с лучшей пропускной способностью и надежностью, используя меньше энергии.

KLMCG1RCTE-B041 is a 64GB eMMC 5.1 embedded flash memory device manufactured by Samsung. Integrating NAND Flash memory and a dedicated eMMC controller in a compact 153-ball package, it provides reliable managed storage for embedded computing platforms, industrial terminals, smart devices, consumer electronics, IoT gateways, and mobile systems. The KLMCG1RCTE-B041 simplifies system storage design by providing built-in flash management, broad eMMC interface compatibility, compact PCB integration, and dependable Samsung embedded memory performance.

K4B2G1646F-BCNB is a 2Gb DDR3 SDRAM memory chip manufactured by Samsung. Featuring a 128M × 16 organization, DDR3-2133 performance, 1.5V operating voltage, and a compact 96-ball FBGA package, it is widely used in embedded computing platforms, industrial automation systems, networking equipment, medical devices, and consumer electronics. The K4B2G1646F-BCNB delivers reliable high-speed DDR3 memory performance, low system complexity, and excellent compatibility for a wide range of embedded and industrial applications.

K4F6E3S4HM-THCL — это 16 Гб LPDDR4 SDRAM-микросхема, произведенная компанией Samsung. Благодаря организации памяти 512 М × 32, производительности до 4266 Мбит/с, энергоэффективной архитектуре LPDDR4 и компактному корпусу FBGA с 200 шариками данная микросхема предназначена для применения в автомобильной электронике, устройствах искусственного интеллекта на периферии, промышленных встраиваемых системах, сетевом оборудовании, интеллектуальных камерах и передовых мобильных платформах. K4F6E3S4HM-THCL обеспечивает высокую пропускную способность, низкое энергопотребление и надежную работу в приложениях следующего поколения для встраиваемых и интеллектуальных вычислительных систем.

K4A4G085WF-BCTD — это 4 Гб чип памяти DDR4 SDRAM, производимый компанией Samsung. Благодаря организации 512 М × 8, скорости передачи данных 2666 Мбит/с, низкому рабочему напряжению 1,2 В и компактному корпусу FBGA с 78 шариками он подходит для модулей памяти DDR4, настольных компьютеров, ноутбуков, встраиваемых систем, сетевого оборудования, промышленных устройств управления и потребительской электроники. K4A4G085WF-BCTD обеспечивает надёжную производительность DDR4 от Samsung для компактных и экономически эффективных решений в области проектирования памяти.

K4AAG085WA-BIWE is a 16Gb DDR4 SDRAM memory chip manufactured by Samsung. Featuring a 2G × 8 organization, 1.2V low-power operation, and compact FBGA-78 package, it is suitable for DDR4 memory modules, servers, desktop computers, laptops, networking equipment, industrial computers, and embedded systems. The K4AAG085WA-BIWE provides high-density DRAM performance, efficient power consumption, and reliable Samsung memory technology for modern computing platforms.

K4FBE3D4HM-THCL — это 32 Гб LPDDR4 SDRAM-микросхема памяти, произведенная компанией Samsung. Благодаря двухканальной архитектуре x16, скорости передачи данных 4266 Мбит/с, корпусу FBGA с 200 шариковыми выводами и расширенному температурному диапазону эксплуатации от −40 °C до +105 °C данное устройство предназначено для автомобильных систем мультимедиа, модулей систем адаптивного круиз-контроля и предупреждения столкновений (ADAS), встраиваемых вычислительных платформ, устройств компьютерного зрения на основе ИИ, промышленных терминалов и интеллектуальных мобильных электронных устройств. K4FBE3D4HM-THCL обеспечивает высокую пропускную способность памяти, низкое энергопотребление, компактную интеграцию и надёжную производительность для современных автомобильных и встраиваемых приложений.

H5AN4G6NBJR-UHI — это 4 Гб микросхема оперативной памяти DDR4 SDRAM, произведенная компанией SK hynix. Микросхема имеет организацию 256 М × 16, соответствует скоростному классу DDR4-2400, работает при низком напряжении 1,2 В и выполнена в компактном корпусе FBGA-96. Она предназначена для систем промышленного управления, встраиваемых вычислительных платформ, сетевого оборудования, потребительской электроники и электронных устройств с длительным сроком службы. H5AN4G6NBJR-UHI обеспечивает надёжную производительность памяти, эффективное энергопотребление и стабильную пропускную способность DDR4 для современных встраиваемых и промышленных применений.

H5AN8G8NCJR-XNC — это 8 Гб микросхема оперативной памяти DDR4 SDRAM, произведенная компанией SK hynix. Благодаря организации 1 Г × 8, скорости передачи данных 3200 МТ/с и низкому рабочему напряжению 1,2 В микросхема обеспечивает высокоскоростную и энергоэффективную работу памяти в серверах, настольных компьютерах, сетевом оборудовании, промышленных системах и встраиваемых приложениях. Благодаря корпусу FBGA-78 и передовой архитектуре DDR4 микросхема H5AN8G8NCJR-XNC обеспечивает надежные, масштабируемые и экономически эффективные решения в области памяти для современных вычислительных платформ.

H5CG46MEBDX015N is a 16Gb DDR5 SDRAM memory chip manufactured by SK hynix. Featuring a 1G × 16 organization, 4800 MT/s data rate, and 1.1V low-power operation, it delivers high bandwidth and energy-efficient performance for servers, cloud computing infrastructure, AI systems, networking equipment, and high-performance embedded applications. Designed for next-generation computing platforms, the H5CG46MEBDX015N provides the speed, density, and reliability required by modern memory-intensive workloads.

H9TQ26ADFTACUR-KUM — это высокоплотное решение для встроенной памяти eMCP от компании SK hynix, объединяющее 32 ГБ флэш-памяти NAND стандарта eMMC 5.1 и 3 ГБ ОЗУ LPDDR3 в компактном корпусе BGA221. Данное решение предназначено для смартфонов, планшетов, устройств Интернета вещей (IoT), промышленных встраиваемых систем и умной потребительской электроники и обеспечивает превосходную производительность, низкое энергопотребление и снижение сложности печатной платы. H9TQ26ADFTACUR-KUM позволяет производителям упростить проектирование систем, одновременно обеспечивая надёжные характеристики хранения данных и оперативной памяти для современных встраиваемых приложений.

Микроконтроллеры в корпусе LQFP-48 (7×7), соответствующие директиве RoHS

Диодный массив GP 75 В 300 мА SOT23-3.Диодный массив 1 пара последовательное соединение 75 В 300 мА (DC) поверхностный монтаж TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

1A 4ns 100V 1.25V@150mA 200mA SOT-23 Single Diodes RoHS

100 V переключающий диод, двойной, серия

Модели IS43/46LQ32256A и IS43/46LQ32256AL представляют собой 8 Гбит низкопотребляющую динамическую память с последовательным доступом (LPDDR4 SDRAM) на основе КМОП-технологии. Устройство организовано в виде двух каналов, каждый из которых состоит из 8 банков по 16 бит. Данное изделие использует архитектуру двойной скорости передачи данных (DDR) для обеспечения высокоскоростной работы. Архитектура DDR по сути представляет собой архитектуру предварительной выборки (prefetch) объемом 16N с интерфейсом, предназначенным для передачи двух слов данных за один тактовый цикл на выводах ввода-вывода (I/O). Изделие поддерживает полностью синхронные операции, синхронизируемые как по фронтам, так и по спадам тактового сигнала. Внутренние пути передачи данных имеют конвейерную структуру, а данные предварительно выбираются порциями по 16N бит для достижения очень высокой пропускной способности.

SDRAM — мобильная микросхема памяти LPDDR4X, 32 Гбит, параллельный интерфейс, 2,133 ГГц, время задержки 3,5 нс, корпус 200-TFBGA (10×14,5 мм)

ИС распределения вентилятора, 32-выводный корпус LFCSP. Распределение вентилятора, дробно-числовые и целочисленные N, синтезатор тактовой частоты/частоты (RF), ИС, 4,4 ГГц, 1 шт., 32-выводный VFQFN с оголенной площадкой, CSP

Высокопроизводительная память обеспечивает более быстрые и мощные решения. DDR4 от Samsung обеспечивает максимальную скорость, повышенную пропускную способность и надежность при меньшем энергопотреблении. DDR4, 8 Гб × 8, 1,2 В, 1,333 ГГц, диапазон рабочих температур от 0 °C до 85 °C, корпус FBGA-78

ISM330DHCX — это система в одном корпусе, включающая высокопроизводительный трёхмерный цифровой акселерометр и трёхмерный цифровой гироскоп, специально разработанные для применения в рамках концепции «Индустрия 4.0». Семейство модулей MEMS-датчиков ST использует надёжные и отработанные производственные процессы, уже применяемые при изготовлении микрообработанных акселерометров и гироскопов. Различные чувствительные элементы изготавливаются с использованием специализированных микрообрабатывающих процессов, а интерфейсные ИС разрабатываются по КМОП-технологии, что позволяет создавать специализированные схемы, тонко настраиваемые для оптимального соответствия характеристикам чувствительных элементов. В ISM330DHCX чувствительные элементы акселерометра и гироскопа реализованы на одном кристалле кремния, что обеспечивает превосходную стабильность и надёжность. ISM330DHCX обладает диапазоном измерения ускорения ±2/±4/±8/±16 g и широким диапазоном измерения угловой скорости ±125/±250/±500/±1000/±2000/±4000 град./с, что позволяет использовать его в широком спектре применений. Все аспекты конструкции и калибровки ISM330DHCX были оптимизированы для достижения превосходной точности, стабильности, чрезвычайно низкого уровня шума и полной синхронизации данных. Уникальный набор встроенных функций (ядра машинного обучения, программируемый конечный автомат, буфер FIFO, хаб датчиков, декодирование событий и прерывания) позволяет реализовывать интеллектуальные и сложные узлы датчиков, обеспечивающие высокую производительность при крайне низком энергопотреблении. ISM330DHCX выпускается в пластиковом корпусе LGA (сетчатый контактный массив) с 14 выводами.

Оценка платы для MPU-6000

ИМУ Акселерометр/Гироскоп I2C/SPI 24QFN.Акселерометр, Гироскоп, 6-осевой сенсор I2C, SPI выход

256KB 256K x 8 Flash ARM® Cortex®-M0+ 32-битный микроконтроллер S32K Серия 5 В 64-LQFP

Автомобильный, AEC-Q100 Микросхема памяти Автомобильный, AEC-Q100 Серия

ИС МК 32-бит 128 КБ Flash 80LQFP.ARM® Cortex®-M0+ Kinetis KEA Микроконтроллер ИС 32-бит одноядерный 48 МГц 128 КБ (128K x 8) Flash 80-LQFP (14x14)

ИС МК 32-битный 512 КБ FLASH 100LQFP.ARM® Cortex®-M4F S32K Микроконтроллер ИС 32-битный одноядерный 80 МГц 512 КБ (512K x 8) FLASH 100-LQFP (14x14)

384KB 384K x 8 FLASH ARM® Cortex®-R4 16/32-Bit Microcontroller Automotive, AEC-Q100, Hercules? TMS570 ARM® Cortex®-R Series 5700432 100 Pin 80MHz 1.2V 100-LQFP