Популярные электронные компоненты – В наличии и готовы к отправке

RF-приемник GNSS/GPS, 1,575 ГГц, 24-выводный LCC; модули GNSS/GPS u-blox M8, автомобильная система определения местоположения при потере сигнала, встроенные датчики, корпус LCC, 12×16 мм, 250 шт./катушка

W9825G6KH-6 — это микросхема оперативной памяти SDR SDRAM объёмом 256 Мбит от компании Winbond, организованная как 4 М × 4 банка × 16 бит и поставляемая в корпусе 54-TSOP II. Благодаря параллельному интерфейсу SDRAM с частотой 166 МГц, напряжению питания от 3,0 В до 3,6 В и времени доступа 5 нс, данная микросхема подходит для применения в встраиваемых системах, потребительской электронике, промышленных платах управления, сетевом оборудовании, системах на основе ПЛИС/ЦСП, а также в качестве замены устаревших микросхем SDRAM.

16 Гбит DDR4 3200 2Gx8 (0~95C).SDRAM - Интегральная схема памяти DDR4 16 Гбит 1.6 ГГц 78-FBGA (7.5x11)

ИС Flash 128 Мбит SPI 133 МГц 8SO.FLASH - NOR память ИС 128 Мбит SPI - Quad I/O 133 МГц 8-SO

4RCD0229KB1ATG8 — это регистрирующий тактовый драйвер DDR4 от Renesas / IDT, предназначенный для модулей памяти DDR4 RDIMM и LRDIMM. Он обеспечивает 32-битный 1:2 регистрируемый буфер команд/адресов с контролем чётности, работает от источника питания 1,2 В и поставляется в корпусе FCCSPBGA с 253 шариками. Основная область применения — серверные модули памяти, платформы центров обработки данных, корпоративные системы хранения данных и оборудование для вычислений высокой надёжности.

K4A8G085WC-BCTD — это 8 Гбит ИС оперативной памяти DDR4 SDRAM от компании Samsung, организованная как 1 Г × 8 и поставляемая в корпусе FBGA на 78 шариков. Благодаря производительности класса DDR4-2666 и работе при напряжении 1,2 В она подходит для модулей оперативной памяти ПК, ноутбуков, промышленных компьютеров, сетевого оборудования, серверов, встраиваемых систем и других высокоскоростных применений оперативной памяти.

MT53D1024M32D4DT-046 AAT:D — это 32 Гб LPDDR4 SDRAM от компании Micron Technology, организованная как 1 Г × 32 и поставляемая в корпусе VFBGA с 200 шариками. Благодаря высокоскоростной работе на частоте 2,133 ГГц, низковольтным цепям питания 1,1 В / 0,6 В и рабочему диапазону температур от −40 °C до +105 °C данная микросхема подходит для автомобильной электроники, промышленных встраиваемых систем, устройств искусственного интеллекта и Интернета вещей (AIoT), телекоммуникационного оборудования, а также высокопроизводительных платформ на основе SoC.

MT29F2G08ABAGAWP-IT:G — это интегральная схема флэш-памяти NAND типа SLC объёмом 2 Гбит от компании Micron Technology, организованная как 256 М × 8 и поставляемая в корпусе TSOP-I с 48 выводами. Благодаря параллельному интерфейсу NAND, напряжению питания от 2,7 В до 3,6 В и рабочему диапазону температур от −40 °C до +85 °C данная микросхема подходит для применения в встраиваемых системах, промышленных контроллерах, сетевом оборудовании, потребительской электронике, автомобильной электронике и других областях, где требуется надёжная энергонезависимая память.

DDR DRAM, 128MX16, 0.225нс, CMOS, PBGA96, VFBGA-96

K4ZAF325BC-SC20 — это высокопроизводительный графический чип памяти GDDR6 (VRAM), произведённый компанией Samsung. Этот конкретный компонент привлёк значительное внимание в сообществе энтузиастов оборудования, поскольку он используется в консоли Sony PlayStation 5 Pro (PS5 Pro) и некоторых высокопроизводительных видеокартах (например, Gigabyte GeForce RTX 4060 Ti AERO OC объёмом 16 ГБ).

18-битный АЦП с одной каналом и скоростью выборки 240 выборок в секунду. Аналогово-цифровые преобразователи — АЦП, дельта-сигма-АЦП на 18 бит, одноканальный, 4 выборки в секунду

ИС Трансивер Полу 1/1 8SOIC.1/1 Трансивер Полу RS422, RS485 8-SOIC

W25Q64JVSSIG от компании Winbond Electronics Corp — это флеш-память. Флеш-память относится к более широкой категории компонентов памяти.

Интегральная схема флэш-памяти, 64 Мбит, интерфейс SPI/Quad, корпус 8-SOIC. Флэш-память NOR, интегральная схема, 64 Мбит, интерфейс SPI — четырёхканальный ввод/вывод, 133 МГц, корпус 8-SOIC. Флэш-память NOR spiFlash, 64 Мбит, сектора равномерного размера 4 Кбит. Флэш-память NOR, интегральная схема, 64 Мбит, интерфейс SPI — четырёхканальный ввод/вывод, 133 МГц, корпус 8-SOIC.

ИС-трансивер, полудуплексный, 1/1, 8-SOIC. Трансивер полудуплексный RS422, RS485, 8-SOIC. Маломощные полудуплексные трансиверы RS-485 с питанием 3,3 В и скоростью передачи данных 10 Мбит/с

Шоттки барьерный диод

Сверхнизкокапацитивный двухсторонний диод защиты от электростатического разряда с полным охватом диапазона напряжений

DRAM DDR4, 16 ГБ, 1 Гбит × 16, корпус FBGA, IT-класс ИС DRAM, 16 Гбит, параллельный интерфейс, корпус 96FBGA

Твердотельные накопители — SSD 7450, 4 ТБ, форм-фактор E1.S, 32 × 111 × 5,9 мм

Samsung KLM8G1GETF-B041: MLC NAND Flash Serial e-MMC 3V/3.3V 64G-bit 64G/16G/8G x 1/4-bit/8-bit 153-Pin FBGA. С превосходной энергоэффективностью и заметно высокой скоростью, eMMC Samsung является окончательным выбором для флэш-памяти при разработке тонких мобильных дизайнов.

Преобразователь уровней напряжения для HDMI/DVI с низким энергопотреблением Специализированная ИС интерфейса в корпусе 32HVQFN

NPN, диапазон рабочих температур от -65 °C до 150 °C (TJ), ток утечки 100 нА, 1 элемент, 3 вывода, кремниевый NPN-транзистор в корпусе TO-243AA, в ленте с отрезанными участками (CT), для поверхностного монтажа

ИС ОУ общего назначения 1 цепь SOT23-5.Стандартный усилитель 1 цепь SOT-23-5

Микроконтроллеры QFN-32 (5×5), соответствующие директиве RoHS

CMC 150 мА, 2 линии, 90 Ом, SMD. Дроссель общего режима на 2 линии, поверхностный монтаж, сопротивление 90 Ом при 100 МГц, ток 150 мА, постоянное сопротивление (DCR) 1,75 Ом

Входное напряжение 4,5–17 В, выходной ток 3 А, синхронный понижающий преобразователь в режиме Eco | DDC | 6 | −40…+125 °C. Импульсные стабилизаторы напряжения: входное напряжение 4,5–17 В, выходной ток 3 А, синхронный, артикул 595-TPS563201DDCT

Высокоточный монитор и защита аккумуляторов на 3–16 элементов для литий-ионных, литий-полимерных и литий-железо-фосфатных аккумуляторов | PFB | 48 | от −40 до 85

Высокоточный 6-осевой MEMS-датчик движения® 6-осевой высокопроизводительный ИМУ, поддерживающий высоко точный внешний тактовый сигнал, что способствует снижению погрешности чувствительности на уровне системы, повышению точности измерения ориентации на основе данных гироскопа, а также уменьшению зависимости частоты дискретизации от температуры и вариаций между отдельными устройствами. ICM-42688-P — это 6-осевой MEMS-датчик движения, объединяющий 3-осевой гироскоп и 3-осевой акселерометр. Устройство оснащено программируемым интерфейсом хоста, поддерживающим последовательную связь по протоколам I3C℠, I²C и SPI. В нем реализован буфер FIFO объемом 2 КБ и два программируемых прерывания с поддержкой функции «пробуждение при движении» в сверхнизкопотребляющем режиме для минимизации энергопотребления системы. ICM-42688-P поддерживает высоко точный внешний тактовый сигнал, что способствует снижению погрешности чувствительности на уровне системы, повышению точности измерения ориентации на основе данных гироскопа, а также уменьшению зависимости частоты дискретизации от температуры и вариаций между отдельными устройствами. Устройство первым в отрасли поддерживает 20-битный формат данных в буфере FIFO для обеспечения высокого разрешения данных. Этот формат FIFO включает 19-битные данные гироскопа и 18-битные данные акселерометра. Другие передовые отраслевые функции включают встроенный в чип InvenSense процессор движения APEX для распознавания жестов, классификации активности, шагомера, программируемых цифровых фильтров и встроенный датчик температуры. Устройство поддерживает рабочее напряжение питания VDD в диапазоне от 1,71 В до 3,6 В и отдельное питание цифровых входов/выходов VDDIO в том же диапазоне — от 1,71 В до 3,6 В.

Циклон® IV E — программируемая логическая интегральная схема (ПЛИС) 179, 276480, 6272, 256-выводная матричная шариковая сборка (LBGA) ПЛИС — программируемая логическая интегральная схема

0.1°C digital temperature sensor, 48-bit EEPROM, PT100/PT1000 RTD replacement | DRV | 6 | -55 to 150

ИС FLASH 128MBIT SPI 8WPDFN.FLASH - NOR Память ИС 128Mbit SPI - Quad I/O 133 MHz 8-WPDFN (6x5)(MLP8)

MOSFET (Метал-Оксид) Канал N Трубка 5.9 мОм при 103A, 10V ±30V 10470 пФ при 50V 227 нКл при 10V TO-247-3