AM29F080B-120EF [AMD]

AM29F080B-120EF Обзор

Тип памяти NOR можно классифицировать как тип памяти этого устройства. Полная рабочая процедура этой детали включает 1 функцию. Этот компонент содержится в 40-контактном корпусе. Устройство имеет 40 контактов, что указывает на наличие 40 доступных ячеек памяти. В заметке указано, что эта микросхема памяти работает от напряжения питания 5 В. Микросхема памяти использует простой и эффективный метод монтажа – поверхностный монтаж (Surface Mount). Номинальный ток потребления для этого компонента памяти составляет 40 мА. Что касается источников питания, микросхеме памяти требуется только 5 В. Минимальная рабочая температура для этого устройства не должна быть ниже -40 °C. Рекомендуется эксплуатировать компонент при температуре не выше 85 °C, иначе может быть нанесен ущерб компоненту. Для работы устройства необходимо обеспечить максимальный ток потребления 0,04 мА. Для изменения состояния массива энергонезависимой памяти требуется напряжение программирования 5 В. Обычно эти микросхемы памяти относятся к категории Flash-памяти. В идеале этот компонент должен питаться от напряжения не менее 4,5 В. Требуемое рабочее напряжение не должно превышать 5,5 В. В этой памяти содержится 16 специально размерных разделов. Этот чип содержит тип памяти FLASH. В целом, это устройство типа NOR. Такое устройство имеет 40 контактов внутри.

Особенности AM29F080B-120EF

40 контактов
Рабочее напряжение питания: 5 В

Применения AM29F080B-120EF

Существует множество применений памяти AMD
AM29F080B-120EF.

• суперкомпьютеры
• телекоммуникации
• рабочие станции,
• буфер DVD-диска
• буфер данных
• энергонезависимая память BIOS
• Видеокамеры
• встроенная логика
• eDRAM
• графическая карта