Обзор APT20M22JVRU2

В этом случае MOSFET подвержен пробою по лавине, приложенная энергия называется лавинной энергией, а номинальная лавинная энергия (Eas) для MOSFET составляет 2500 мДж.Как параметр входной емкости операционного усилителя, CI, определяется как емкость между входными клеммами, когда один вход заземлен, максимальная входная емкость этого устройства составляет 8500 пФ @ 25 В.Это устройство проводит непрерывный стоковый ток (ID) 97 А, что является максимальным непрерывным током, который может проводить транзистор.Когда устройство выключено, время задержки выключения составляет 48 нс, поскольку входная емкость заряжается перед началом проводимости стокового тока.Импульсный стоковый ток является максимальным номинальным пиковым стоковым током 388 А.Перед началом проводимости стокового тока время задержки включения устройства требуется для зарядки его входной емкости. Это время задержки составляет 16 нс.Напряжение на затвор-истоковом выводе транзистора FET, называемое затвор-истоковым напряжением или VGS, может быть 30 В.Нормальная работа DS требует поддержания напряжения пробоя выше 200 В.Этот транзистор требует напряжения сток-исток (Vdss) 200 В.Для уменьшения потребления мощности это устройство использует напряжение привода 10 В (10 В).

APT20M22JVRU2 Особенности

Номинальная лавинная энергия (Eas) составляет 2500 мДж
Непрерывный стоковый ток (ID) 97 А
Время задержки выключения составляет 48 нс
на основе его номинального пикового стокового тока 388 А.
Напряжение сток-исток 200 В (Vdss)

APT20M22JVRU2 Применения

Существует множество применений Microsemi Corporation
APT20M22JVRU2 одиночных транзисторов MOSFET.

• Приводы двигателей и источники бесперебойного питания
• Микро-солнечный инвертор
• Преобразователи DC/DC
• Электроинструменты
• Приводы двигателей и источники бесперебойного питания
• Синхронная выпрямление
• Схема защиты аккумулятора
• Силовые блоки для телекоммуникационных серверов 1
• Промышленные источники питания
• Стадии PFC, стадии жесткого переключения ШИМ и резонансное переключение