Logo
Контакты
Политика использования файлов cookie
Условия использования
Политика конфиденциальности
phone
Vivi (Продажи)
phone
Lucy (Продажи)
phone
Ban (Продажи)
phone
+86 755-2845-3125
Список RFQ
  • open navigation menu
    • Logo
    • Список RFQ
      • Производители
      • Популярные товары
      • RFQ
      • Блог
      • Инструменты
      • Решения для закупок
      • PCB/SMT
      • О нас
    Знак сертификации
    Знак сертификации
    Знак сертификации
    Знак сертификации
    Знак сертификации
    Знак сертификации
    Знак сертификации
    Знак сертификации
    Знак сертификации
    Знак сертификации
    Знак сертификации
    Знак сертификации
    СВЯЖИТЕСЬ С НАМИ
    Служба поддержки:
    +86 755-2845-3125
    Комната 2709B, Офисное здание 5A, Longguang Jiuzuan, Hongshan, район Longhua, Шэньчжэнь, Китай
    [email protected]
    Компания
    • Блог
    • О нас
    • Контакты
    Ресурсы
    • Категории
    • Производители
    • Инструменты
    • RFQ
    Быстрые ссылки
    • Политика конфиденциальности
    • Условия использования
    • Политика использования файлов cookie
    • Политика возврата и возмещения
    • Политика доставки
    Оплата
    • Способ оплаты
    • Способ оплаты
    • Способ оплаты
    • Способ оплаты
    Логистика
    • Логистический партнёр
    • Логистический партнёр
    • Логистический партнёр
    • Логистический партнёр

    © 2026 Авторское право. Все права защищены. Сделано ICAllIn

    Номер детали
    Номер детали
    1. Главная/
    2. Все категории/
    3. Дискретные полупроводники/
    4. Транзисторы/
    5. APTM100A46FT1G MICROSEMI

    APTM100A46FT1G [MICROSEMI]

    APTM100A46FT1G
    APTM100A46FT1G

    Номер детали:

    APTM100A46FT1G

    Категория:

    Транзисторы

    Производитель:

    MICROSEMI

    Описание:

    MOSFET Power Module with phase leg DSS, featuring low R_DSon and high current capability.

    Статус RoHS:

    FAQ по продукту

    1. Доступен ли APTM100A46FT1G для RFQ?

    Да. APTM100A46FT1G от MICROSEMI доступен для RFQ. Укажите необходимое количество, и наша команда подтвердит актуальный остаток, срок поставки и оптовую цену.

    2. Почему для APTM100A46FT1G нет фиксированной цены?

    Цена на APTM100A46FT1G может зависеть от количества заказа, доступности на рынке, date code, упаковки и страны доставки. Запросите предложение, чтобы получить актуальную оптовую цену.

    3. Какие ключевые характеристики у APTM100A46FT1G?

    APTM100A46FT1G — это Транзисторы MICROSEMI с такими характеристиками: Thermal Resistance Junction To Case: 0.35°C/W и Continuous Source Current Tc25: 19A. Ознакомьтесь с деталями продукта или отправьте RFQ, если нужна проверка перед покупкой.

    4. Как быстро я получу предложение по APTM100A46FT1G?

    Наша команда продаж обычно отвечает в течение 24 часов после получения RFQ. Предложение может включать статус наличия, цену за единицу, срок поставки, варианты доставки и доступные альтернативы.

    5. Как скоро можно отправить APTM100A46FT1G?

    Если наличие подтверждено, товары со склада обычно могут быть отправлены в течение 1–2 рабочих дней. Итоговый срок зависит от количества, источника склада и страны доставки.

    6. Можете ли вы предложить альтернативы для APTM100A46FT1G?

    Да. Если APTM100A46FT1G недоступен, снят с производства или не подходит по срокам поставки, мы поможем проверить похожие позиции MICROSEMI в категории Транзисторы или совместимые альтернативы.

    Запрос

    Номер детали:

    APTM100A46FT1G

    Производитель:

    MICROSEMI

    Ищете цены? Свяжитесь с нами для получения оптовых цен.

    ВАЖНОЕ УВЕДОМЛЕНИЕ

    Коммерческие предложения зависят от наличия товара на складе и могут меняться в зависимости от рыночных условий. Цены и сроки поставки не гарантируются до подтверждения заказа на покупку. Убедитесь, что ваши контактные данные указаны правильно, чтобы избежать задержек в ответе.

    Рекомендуемый товар

    Даташит:

    Статус наличия:

    Доступно для RFQ

    Цена:

    Запросить оптовую цену

    Ответ на запрос:

    В течение 24 часов

    Доставка:

    Товары в наличии отправляются в течение 1–2 рабочих дней

    Спецификация

    Тип
    Параметр
    Gate Source Voltage
    ±30V
    Pulsed Drain Current
    120A
    Gate Threshold Voltage
    3V ~ 5V
    Thermal Resistance Junction To Case
    0.35°C/W
    Input Capacitance
    6800pF
    Output Capacitance
    715pF
    Total Gate Charge
    260 nC
    Reverse Transfer Capacitance
    92pF
    Package
    SP1
    RoHS Status
    RoHS Compliant
    RoHS Status
    RoHS Compliant
    Storage Temperature
    -40°C ~ 125°C
    Avalanche Current
    16A
    Breakdown Voltage
    1000V
    Continuous Drain Current Tc25
    19A
    Continuous Drain Current Tc80
    14A
    Continuous Source Current Tc25
    19A
    Continuous Source Current Tc80
    14A
    Diode Forward Voltage
    1V
    Fall Time
    35 ns
    Gate Drain Charge
    125 nC
    Gate Source Charge
    46 nC
    Isolation Voltage
    2500V
    Max Power Dissipation
    357W
    Mounting Torque
    2.5 N.m ~ 4.7 N.m
    Ntc Beta 25 85
    3952 K
    Ntc Resistance 25c
    50kΩ
    Operating Case Temperature
    -40°C ~ 100°C
    Operating Junction Temperature
    -40°C ~ 150°C
    Package Weight
    80 g
    Peak Diode Recovery Dv Dt
    25V/ns
    R Ds On Max
    552mΩ
    R Ds On Typ
    460mΩ
    Reverse Recovery Charge Tj125
    3.5 µC
    Reverse Recovery Charge Tj25
    1.3 µC
    Reverse Recovery Time Tj125
    600 ns
    Reverse Recovery Time Tj25
    290 ns
    Rise Time
    37 ns
    Turn Off Delay Time
    140 ns
    Turn On Delay Time
    36 ns

    Детали продукта

    Power MOS 8™ Fast FREDFETs with low R_DSon, low input and Miller capacitance, low gate charge, fast intrinsic reverse diode, avalanche energy rated, and rugged design. Features very low stray inductance, symmetrical design, internal thermistor for temperature monitoring, and high integration level. Benefits include outstanding high-frequency performance, direct mounting to heatsink (isolated package), low junction-to-case thermal resistance, solderable terminals for easy PCB mounting, low profile, and RoHS compliance.

    Ключевые особенности

    • Power MOS 8™ Fast FREDFETs
    • Low R_DSon
    • Low input and Miller capacitance
    • Low gate charge
    • Fast intrinsic reverse diode
    • Avalanche energy rated
    • Very rugged
    • Very low stray inductance
    • Symmetrical design
    • Internal thermistor for temperature monitoring
    • High level of integration
    • Outstanding performance at high frequency operation
    • Direct mounting to heatsink (isolated package)
    • Low junction to case thermal resistance
    • Solderable terminals both for power and signal for easy PCB mounting
    • Low profile
    • RoHS Compliant

    Сценарии применения

    • Welding converters
    • Switched Mode Power Supplies
    • Uninterruptible Power Supplies
    • Motor control

    Документы

    Datasheets:

    APTM100A46FT1GPower Products Catalog
    Доставка и гарантия

    Быстрая отправка: Отправка в течение 5-7 дней (товары в наличии в течение 1-2 дней)

    Глобальный экспорт Unishop: 1-7 дней, $40.00

    Гарантированная доставка: От двери до двери за 30 дней

    Соответствующая мировая доставка: DHL, FedEx, SF и UPS.

    Особенности

    • 30-дневная гарантия
      30-дневная гарантия
    • Быстрая доставка
      Быстрая доставка
    • Беспроблемный возврат
      Беспроблемный возврат
    • Безопасный способ оплаты
      Безопасный способ оплаты
    Связанная информация
    • Номер детали
      Производитель
      Статус наличия
      Цена
      RoHS/даташит
    • 2EZ3.6D5DO41E3
      MICROSEMI
      Доступно для RFQ
      Запросить оптовую цену
    • 1N5531B (DO35)
      MICROSEMI
      Доступно для RFQ
      Запросить оптовую цену
    • 1N5923A G
      MICROSEMI
      Доступно для RFQ
      Запросить оптовую цену
    • 2EZ82D5DO41E3
      MICROSEMI
      Доступно для RFQ
      Запросить оптовую цену
    • APT2X50DC120J
      MICROSEMI
      Доступно для RFQ
      Запросить оптовую цену
    • APTM120UM95FAG
      MICROSEMI
      Доступно для RFQ
      Запросить оптовую цену
    • APTM10DUM05TG
      MICROSEMI
      Доступно для RFQ
      Запросить оптовую цену
      -
    • 1N5383BE3/TR12
      MICROSEMI
      Доступно для RFQ
      Запросить оптовую цену
    • 1N5931C G
      MICROSEMI
      Доступно для RFQ
      Запросить оптовую цену
    • 2EZ36D5/TR12
      MICROSEMI
      Доступно для RFQ
      Запросить оптовую цену

    CDLL6341D

    CDLL6341D

    MICROSEMI

    APT5014SLLG/TR

    APT5014SLLG/TR

    MICROSEMI

    JANTX2N7228U

    JANTX2N7228U

    MICROSEMI

    JANTX2N6770

    JANTX2N6770

    MICROSEMI

    1N5259B (DO-35)

    1N5259B (DO-35)

    MICROSEMI

    1N4732AP/TR8

    1N4732AP/TR8

    MICROSEMI

    1N5916D G

    1N5916D G

    MICROSEMI

    APTMC120AM12CT3AG

    APTMC120AM12CT3AG

    MICROSEMI

    TAN150

    TAN150

    MICROSEMI

    1N5253B (DO-35)

    1N5253B (DO-35)

    MICROSEMI

    Diodes & Rectifiers(136426)Discrete & Power Modules(14567)Thyristors(12548)

    Нет недавно просмотренных товаров

    BEST SELL
    ISL8225MIRZ

    ISL8225MIRZ

    RENESAS

    BEST SELL
    ISL8200MIRZ-T

    ISL8200MIRZ-T

    RENESAS

    BEST SELL
    ISO7721DR

    ISO7721DR

    Texas Instruments

    BEST SELL
    FS32K144HAT0MLLT

    FS32K144HAT0MLLT

    NXP

    BEST SELL
    K4F6E3S4HM-THCL

    K4F6E3S4HM-THCL

    SAMSUNG

    BEST SELL
    MT41K128M16JT-125 IT:KTR

    MT41K128M16JT-125 IT:KTR

    Unknown

    BEST SELL
    MT48LC16M16A2P-6A IT:G

    MT48LC16M16A2P-6A IT:G

    Micron

    BEST SELL
    TMS320F28335PTPQ

    TMS320F28335PTPQ

    Texas Instruments

    BEST SELL
    KLMAG1JETD-B041009

    KLMAG1JETD-B041009

    SAMSUNG

    BEST SELL
    FS32K118LFT0VLHT

    FS32K118LFT0VLHT

    NXP