APTM20UM03FAG [Microchip]

Обзор APTM20UM03FAG

В результате лавинного пробоя, энергия, приложенная к MOSFET, называется лавинной энергией, а рейтинг лавинной энергии составляет 3000 мДж.CI относится к емкости между двумя входными терминалами операционного усилителя с заземленным любым входом, а максимальная входная емкость этого устройства составляет 43300 пФ @ 25 В.В этом устройстве ток стока (ID) равен непрерывному току, который может проводить транзистор.В результате времени задержки выключения, которое составляет 88 нс, устройство затрачивает время на заряд своей входной емкости до начала проводимости тока стока.Существует пиковый ток стока 2320 А, его максимальный импульсный ток стока.Заряд входной емкости задерживает проводимость тока стока до тех пор, пока время, необходимое для заряда входной емкости, не достигнет 32 нс.Напряжения затвор-исток (VGS) — это напряжения, падающие на терминале затвор-исток транзисторов FET. VGS иногда составляет 30 В.Чтобы напряжение пробоя DS оставалось выше 200 В, оно должно оставаться выше уровня 200 В.Транзистор должен получать напряжение сток-исток 200 В (Vdss) для функционирования.Помимо снижения потребления мощности, это устройство использует напряжение привода (10 В).

Особенности APTM20UM03FAG

рейтинг лавинной энергии (Eas) составляет 3000 мДж
непрерывный ток стока (ID) 580 А
время задержки выключения составляет 88 нс
на основе его номинального пикового тока стока 2320 А.
напряжение сток-исток 200 В (Vdss)

Применение APTM20UM03FAG

Существует множество приложений Microsemi Corporation
APTM20UM03FAG для одиночных транзисторов MOSFET.

• DC/DC преобразователи
• Электроинструменты
• Приводы двигателей и источники бесперебойного питания
• Синхронная выпрямление
• Схема защиты аккумулятора
• Источники питания для телекоммуникационных серверов
• Промышленные источники питания
• Стадии PFC, стадии ШИМ с жестким переключением и резонансное переключение
• Стадии ШИМ для, например, PC Silverbox, адаптеров, LCD и PDP телевизоров,
• Освещение, серверы, телекоммуникации и ИБП.