2STN2360 Обзор

Поскольку коэффициент усиления постоянного тока является отношением коллекторного тока к базовому току, для этого устройства коэффициент усиления постоянного тока составляет 160 @ 1A 2V. Single BJT transistor имеет напряжение насыщения коллекторного эмиттера 500 мВ, что позволяет максимально flexibilSingle BJT transistory в дизайне. В результате насыщения vce, Ic достигает своего максимального значения (насыщенного), и vce saturation(Max) составляет 500 мВ @ 150 мА, 3A. Single BJT transistor может достичь высокого уровня эффективности, поддерживая напряжение базы эмиттера на 6V. Части этой детали имеют частоту перехода 130 МГц. Single BJT transistor может выдерживать входное напряние пробоя 60V. При максимальной работе коллекторный ток может быть таким низким, как 3A.

2STN2360 Характеристики

коэффициент усиления постоянного тока для этого устройства составляет 160 @ 1A 2V
напряжение насыщения коллекторного эмиттера 500 мВ
vce saturation(Max) составляет 500 мВ @ 150 мА, 3A
напряжение базы эмиттера поддерживается на 6V
частота перехода 130 МГц

2STN2360 Применения

Существует множество STMicroelectronics
применений 2STN2360 single BJT транзисторов.

• Инвертор
• Интерфейс
• Драйвер
• Заглушение