Доступен ли 2STN2360 для RFQ?

Да. 2STN2360 от STMicroelectronics доступен для RFQ. Укажите необходимое количество, и наша команда подтвердит актуальный остаток, срок поставки и оптовую цену.

Можете ли вы предложить альтернативы для 2STN2360?

Да. Если 2STN2360 недоступен, снят с производства или не подходит по срокам поставки, мы поможем проверить похожие позиции STMicroelectronics в категории Транзисторы или совместимые альтернативы.

2STN2360 - STMicroelectronics | Электронные компоненты

Name: 2STN2360
Brand: STMicroelectronics
SKU: 2STN2360
Availability: InStock

2. Почему для 2STN2360 нет фиксированной цены?

Цена на 2STN2360 может зависеть от количества заказа, доступности на рынке, date code, упаковки и страны доставки. Запросите предложение, чтобы получить актуальную оптовую цену.

3. Какие ключевые характеристики у 2STN2360?

2STN2360 — это Транзисторы STMicroelectronics с такими характеристиками: Packaging: Tape & Reel (TR) и DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 1A 2V и Time@Peak Reflow Temperature-Max (s): 30. Ознакомьтесь с деталями продукта или отправьте RFQ, если нужна проверка перед покупкой.

4. Как быстро я получу предложение по 2STN2360?

Наша команда продаж обычно отвечает в течение 24 часов после получения RFQ. Предложение может включать статус наличия, цену за единицу, срок поставки, варианты доставки и доступные альтернативы.

5. Как скоро можно отправить 2STN2360?

Если наличие подтверждено, товары со склада обычно могут быть отправлены в течение 1–2 рабочих дней. Итоговый срок зависит от количества, источника склада и страны доставки.

2STN2360 Обзор

Поскольку коэффициент усиления постоянного тока является отношением коллекторного тока к базовому току, для этого устройства коэффициент усиления постоянного тока составляет 160 @ 1A 2V. Single BJT transistor имеет напряжение насыщения коллекторного эмиттера 500 мВ, что позволяет максимально flexibilSingle BJT transistory в дизайне. В результате насыщения vce, Ic достигает своего максимального значения (насыщенного), и vce saturation(Max) составляет 500 мВ @ 150 мА, 3A. Single BJT transistor может достичь высокого уровня эффективности, поддерживая напряжение базы эмиттера на 6V. Части этой детали имеют частоту перехода 130 МГц. Single BJT transistor может выдерживать входное напряние пробоя 60V. При максимальной работе коллекторный ток может быть таким низким, как 3A.

2STN2360 Характеристики

коэффициент усиления постоянного тока для этого устройства составляет 160 @ 1A 2V
напряжение насыщения коллекторного эмиттера 500 мВ
vce saturation(Max) составляет 500 мВ @ 150 мА, 3A
напряжение базы эмиттера поддерживается на 6V
частота перехода 130 МГц