STB130NS04ZBT4 Обзор

Лавинный пробой происходит, когда энергия прикладывается к MOSFET, и рейтинги энергии лавины (Eas) составляют 500 мДж.Максимальная входная емкость устройства составляет 2700 пФ @ 25 В, которая определяется как емкость между его входными клеммами с заземленным любым входом.Постоянный стоковый ток (ID) этого устройства составляет 80 А, который представляет максимальный постоянный ток, который он может проводить.В этом устройстве напряжение пробоя сток-исток составляет 33 В, и напряжение пробоя сток-исток — это VDS, при котором протекает заданное значение ID.Время задержки выключения составляет 220 нс, которое является временем зарядки входной емкости устройства до начала проводимости стокового тока.Зарядка входной емкости занимает время до начала проводимости стокового тока, поэтому время задержки включения составляет 40 нс.Напряжение затвор-исток, или VGS, — это напряжение на переходе затвор-исток транзистора FET, и может составлять 18 В.Это устройство снижает общее потребление мощности за счет использования напряжения привода (10 В).

STB130NS04ZBT4 Характеристики

рейтинг энергии лавины (Eas) составляет 500 мДж
постоянный стоковый ток (ID) 80 А
напряжение пробоя сток-исток 33 В
время задержки выключения составляет 220 нс

STB130NS04ZBT4 Применения

Существует множество применений STMicroelectronics STB130NS04ZBT4 в одиночных транзисторах MOSFET.

• Бытовые приборы
• Освещение
• Источник бесперебойного питания
• Импульсный источник питания
• Синхронный выпрямление для ATX 1 Сервер Телеком ИБП
• Приводы двигателей и источники бесперебойного питания
• Микро-солнечный инвертор
• DC/DC преобразователи
• Электроинструменты
• Приводы двигателей и источники бесперебойного питания