Name: STB20NK50ZT4
Brand: STMicroelectronics
SKU: STB20NK50ZT4

STB20NK50ZT4 Обзор

Пробой МОП-транзистора называется "лавинным пробоем", и лавинная энергия, прикладываемая к транзистору, оценивается в 850 мДж (Eas).
Входная ёмкость операционного усилителя определяется как ёмкость между обоими его входными выводами при замкнутом на землю одном из входов, и её максимальное значение составляет 2600 пФ @ 25 В.
Ток стока — это максимальный непрерывный ток, который может проводить устройство, и у этого устройства непрерывный ток стока составляет 17 А (ID).
Напряжение пробоя сток-исток соответствует напряжению, при котором протекает заданное значение ID, где VGS составляет 500 В, и у этого устройства напряжение пробоя сток-исток равно 500 В.
Ток стока — это максимальный непрерывный ток, который может проводить устройство, и он составляет 20 А.
Входную ёмкость необходимо зарядить перед началом проводимости тока стока, поэтому время задержки выключения составляет 27 нс.
Пиковый ток стока составляет 68 А, что является максимальным импульсным током стока.
Перед началом проводимости тока стока входную ёмкость устройства необходимо зарядить, поэтому время задержки составляет 28 нс.
Напряжение затвор-исток транзистора FET, VGS, указывает, какое напряжение прикладывается между выводами затвора и истока транзистора, и оно может варьироваться от 30 В до 1.
Используя напряжение привода (10 В), это устройство способствует снижению общего энергопотребления.

STB20NK50ZT4 Особенности

рейтинг лавинной энергии (Eas) составляет 850 мДж
непрерывный ток стока (ID) 17 А
напряжение пробоя сток-исток 500 В
время задержки выключения составляет 27 нс
на основе его номинального пикового тока стока 68 А.