Name: STB25NM60N
Brand: STMicroelectronics
SKU: STB25NM60N

STB25NM60N [STMicroelectronics]

Номер детали:

STB25NM60N

Категория:

Транзисторы

Производитель:

STMicroelectronics

Описание:

MOSFET (Метал-Оксид) N-канальный лента и кассета (TR) 160m ? @ 10.5A, 10V ±25V 2400pF @ 50V 84nC @ 10V TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Упаковка:

-

Статус RoHS:

Даташит:

Статус производства:

Статус наличия:

Спецификация

Тип

Параметр

Mount

Surface Mount

Mounting Type

Surface Mount

Package / Case

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Number of Pins

Transistor Element Material

SILICON

Operating Temperature

150°C TJ

Packaging

Tape & Reel (TR)

JESD-609 Code

Part Status

Obsolete

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Number of Terminations

Termination

SMD/SMT

ECCN Code

EAR99

Resistance

160mOhm

Terminal Finish

Matte Tin (Sn) - annealed

Voltage - Rated DC

600V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Terminal Form

GULL WING

Peak Reflow Temperature (Cel)

245

Reach Compliance Code

not_compliant

Current Rating

20A

Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)

Base Part Number

STB25N

Pin Count

JESD-30 Code

R-PSSO-G2

Qualification Status

Not Qualified

Number of Elements

Power Dissipation-Max

160W Tc

Element Configuration

Single

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Power Dissipation

160W

FET Type

N-Channel

Transistor Application

SWITCHING

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

2400pF @ 50V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C

21A Tc

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

84nC @ 10V

Rise Time

18ns

Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±25V

Fall Time (Typ)

24 ns

Turn-Off Delay Time

94 ns

Continuous Drain Current (ID)

21A

Gate to Source Voltage (Vgs)

25V

Drain to Source Breakdown Voltage

600V

Pulsed Drain Current-Max (IDM)

84A

Dual Supply Voltage

600V

Avalanche Energy Rating (Eas)

850 mJ

Nominal Vgs

3 V

REACH SVHC

No SVHC

RoHS Status

RoHS Compliant

Lead Free

Детали продукта

Описание STB25NM60N

STB25NM60N является 600-вольтовым N-канальным МОП-транзистором Power MOSFET второго поколения MDmesh?. Эта серия устройств реализует технологию MDmesh? второго поколения. Этот революционный Power MOSFET сочетает новую вертикальную структуру с ленточной компоновкой компании, обеспечивая один из самых низких в мире показателей сопротивления в открытом состоянии и заряда затвора. Поэтому STB25NM60N подходит для самых требовательных высокопроизводительных преобразователей.

Особенности STB25NM60N

100% протестировано на лавинный пробой
Низкая входная емкость и заряд затвора
Низкое входное сопротивление затвора
Напряжение сток-исток (VGS = 0): 500 В
Напряжение затвор-исток: ±25 В

Применения STB25NM60N

Вращающийся переключатель
DIP-переключатель
Конечный выключатель
Герконовый переключатель
Колебательный переключатель
Тумблер

Ключевые особенности

Ключевые особенности недоступны

Сценарии применения

Сценарии применения недоступны

Документы

Datasheets:

STx25NM60N(-1)

Запрос

Ищете цены? Свяжитесь с нами для получения оптовых цен.

Доставка и гарантия

Быстрая отправка: Отправка в течение 5-7 дней (товары в наличии в течение 1-2 дней)

Глобальный экспорт Unishop: 1-7 дней, $40.00

Гарантированная доставка: От двери до двери за 30 дней

Соответствующая мировая доставка: DHL, FedEx, SF и UPS.

Особенности

30-дневная гарантия
Быстрая доставка
Беспроблемный возврат
Безопасный способ оплаты

ВАЖНОЕ УВЕДОМЛЕНИЕ

Коммерческие предложения зависят от наличия товара на складе и могут меняться в зависимости от рыночных условий. Цены и сроки поставки не гарантируются до подтверждения заказа на покупку. Убедитесь, что ваши контактные данные указаны правильно, чтобы избежать задержек в ответе.