Name: STB30NM50N
Brand: STMicroelectronics
SKU: STB30NM50N

STB30NM50N Обзор

Этот тип пробоя известен как "лавинный пробой", а энергия, прикладываемая к MOSFET, называется энергией лавины, и рейтинг энергии лавины (Eas) составляет 900 мДж.Максимальная входная емкость этого устройства составляет 2740 пФ @ 50 В, потому что входная емкость операционного усилителя определяется как разность между входными выводами с одним входом на земле.Постоянный стоковый ток (ID) — это максимальный постоянный ток (ID), который устройство может проводить, и он составляет 27 А.Когда VGS=500 В, и ID течет к VDS при 500 В VDS, напряжение пробоя сток-исток в этом устройстве составляет 500 В.Перед тем как может начаться проводимость стокового тока, время задержки выключения устройства должно быть заряжено до полной емкости. Это значение составляет 115 нс.Одиночный транзистор MOSFET — это напряжение между выводами затвор-исток транзистора, которое определяет напряжение затвор-исток, VGS.Используя напряжение привода (10 В), это устройство помогает снизить его потребление мощности.