Доступен ли STB30NM50N для RFQ?

Да. STB30NM50N от STMicroelectronics доступен для RFQ. Укажите необходимое количество, и наша команда подтвердит актуальный остаток, срок поставки и оптовую цену.

Можете ли вы предложить альтернативы для STB30NM50N?

Да. Если STB30NM50N недоступен, снят с производства или не подходит по срокам поставки, мы поможем проверить похожие позиции STMicroelectronics в категории Транзисторы или совместимые альтернативы.

STB30NM50N - STMicroelectronics | Электронные компоненты

Name: STB30NM50N
Brand: STMicroelectronics
SKU: STB30NM50N
Availability: InStock

2. Почему для STB30NM50N нет фиксированной цены?

Цена на STB30NM50N может зависеть от количества заказа, доступности на рынке, date code, упаковки и страны доставки. Запросите предложение, чтобы получить актуальную оптовую цену.

3. Какие ключевые характеристики у STB30NM50N?

STB30NM50N — это Транзисторы STMicroelectronics с такими характеристиками: Packaging: Tape & Reel (TR) и Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A Tc и Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On): 10V. Ознакомьтесь с деталями продукта или отправьте RFQ, если нужна проверка перед покупкой.

4. Как быстро я получу предложение по STB30NM50N?

Наша команда продаж обычно отвечает в течение 24 часов после получения RFQ. Предложение может включать статус наличия, цену за единицу, срок поставки, варианты доставки и доступные альтернативы.

5. Как скоро можно отправить STB30NM50N?

Если наличие подтверждено, товары со склада обычно могут быть отправлены в течение 1–2 рабочих дней. Итоговый срок зависит от количества, источника склада и страны доставки.

STB30NM50N Обзор

Этот тип пробоя известен как "лавинный пробой", а энергия, прикладываемая к MOSFET, называется энергией лавины, и рейтинг энергии лавины (Eas) составляет 900 мДж.Максимальная входная емкость этого устройства составляет 2740 пФ @ 50 В, потому что входная емкость операционного усилителя определяется как разность между входными выводами с одним входом на земле.Постоянный стоковый ток (ID) — это максимальный постоянный ток (ID), который устройство может проводить, и он составляет 27 А.Когда VGS=500 В, и ID течет к VDS при 500 В VDS, напряжение пробоя сток-исток в этом устройстве составляет 500 В.Перед тем как может начаться проводимость стокового тока, время задержки выключения устройства должно быть заряжено до полной емкости. Это значение составляет 115 нс.Одиночный транзистор MOSFET — это напряжение между выводами затвор-исток транзистора, которое определяет напряжение затвор-исток, VGS.Используя напряжение привода (10 В), это устройство помогает снизить его потребление мощности.