STB7ANM60N [STMicroelectronics]

Обзор STB7ANM60N

Максимальная входная ёмкость устройства составляет 363 пФ при 50 В, но параметр входной ёмкости CI измеряется как ёмкость между входными клеммами устройства с заземлением одного из входов.Его непрерывный стоковый ток составляет 5 А для этого устройства. Стоковый ток относится к способности устройства проводить непрерывный ток.Транзистор MOSFET Single является напряжением, при котором VDS течет при заданном значении ID, wSingle MOSFETs transistorh VGS=600V, и это устройство имеет пробивное напряжение сток-исток 600 В.Время задержки выключения устройства — это время, необходимое для зарядки его входной ёмкости перед началом проводимости стокового тока, которое составляет 26 нс.Перед началом проводимости стокового тока входная ёмкость устройства должна быть заряжена, поэтому время задержки составляет 7 нс.Обычно напряжение затвор-исток (VGS) транзистора FET — это напряжение между его выводами затвора и истока, которое составляет 25 В.Это устройство не использует напряжение привода (10 В) для снижения общего энергопотребления.

Особенности STB7ANM60N

непрерывный стоковый ток (ID) 5 А
пробивное напряжение сток-исток 600 В
время задержки выключения 26 нс

Применение STB7ANM60N

Существует множество STMicroelectronics
применений STB7ANM60N транзисторов MOSFET.

• Электроинструменты
• Приводы двигателей и источники бесперебойного питания
• Синхронный выпрямитель
• Схема защиты аккумулятора
• Телекоммуникационные серверные блоки питания
• Промышленные блоки питания
• Ступени PFC, ступени PWM с жестким переключением и резонансное переключение
• Ступени PWM для, например, PC Silverbox, адаптеров, LCD и PDP телевизоров,
• Освещение, серверы, телекоммуникации и ИБП.
• DC-DC преобразователи