Обзор STD12N60M2

В результате лавинного пробоя энергия, приложенная к MOSFET, называется лавинной энергией, и рейтинг лавинной энергии составляет 117 мДж.CI относится к емкости между двумя входными терминалами на операционном усилителе с заземленным любым входом, и максимальная входная емкость этого устройства составляет 538 пФ @ 100 В.На этом устройстве нет тока стока, поскольку максимальный непрерывный ток, который оно может проводить, составляет 9 А.Имеется пиковый ток стока 36 А, его максимальный импульсный ток стока.Чтобы напряжение пробоя DS оставалось выше 600 В, оно должно оставаться выше уровня 600 В.Транзистор должен получать напряжение сток-исток (Vdss) 600 В для функционирования.Кроме снижения потребления мощности, это устройство использует напряжение привода (10 В).

Особенности STD12N60M2

рейтинг лавинной энергии (Eas) составляет 117 мДж
на основе его номинального пикового тока стока 36 А.
напряжение сток-исток (Vdss) 600 В

Применения STD12N60M2

Существует множество STMicroelectronics
применений STD12N60M2 одиночных транзисторов MOSFET.

• DC/DC преобразователи
• Электроинструменты
• Приводы двигателей и источники бесперебойного питания
• Синхронная выпрямление
• Цепь защиты аккумулятора
• Телекоммуникационные источники питания серверов
• Промышленные источники питания
• Стадии PFC, стадии PWM с жестким переключением и резонансное переключение
• Стадии PWM для например, Silverbox ПК, адаптер, ЖК и PDP телевизоры,
• Освещение, сервер, телекоммуникации и ИБП.