STD2NM60T4 [STMicroelectronics]

Обзор STD2NM60T4

В результате лавинного пробоя энергия, приложенная к MOSFET, называется лавинной энергией, и рейтинг лавинной энергии составляет 250 мДж.CI относится к емкости между двумя входными клеммами операционного усилителя с заземленным любым входом, и максимальная входная емкость этого устройства составляет 160 пФ @ 25 В.В этом устройстве стоковый ток (ID) равен непрерывному току, который может проводить транзистор.Это устройство имеет напряжение пробоя сток-исток 600 В, где VDS соответствует ID, при котором протекает заданное значение ID, и VGS равно 600 В.На этом устройстве нет стокового тока, поскольку максимальный непрерывный ток, который оно может проводить, составляет 2 А.Имеется пиковый стоковый ток 8 А, его максимальный импульсный стоковый ток.Напряжения затвор-исток (VGS) - это напряжения, которые падают на клемме затвор-исток транзисторов с полевым эффектом. VGS иногда составляет 30 ВВ.В дополнение к снижению потребления мощности это устройство использует напряжение привода (10 В).

Особенности STD2NM60T4

рейтинг лавинной энергии (Eas) составляет 250 мДж
непрерывный стоковый ток (ID) 2 А
напряжение пробоя сток-исток 600 В напряжение
на основе его номинального пикового стокового тока 8 А.

Применения STD2NM60T4

Существует множество STMicroelectronics
применений STD2NM60T4 одиночных транзисторов MOSFET.

• преобразователи DC/DC
• электроинструменты
• приводы двигателей и источники бесперебойного питания
• синхронный выпрямление
• цепь защиты аккумулятора
• источники питания для телекоммуникаций 1 сервер
• промышленные источники питания
• стадии PFC, стадии ШИМ с жестким переключением и резонансное переключение
• стадии ШИМ для например, PC Silverbox, адаптер, LCD и PDP TV,
• Освещение, Сервер, Телекоммуникации и ИБП.