STD3NM60-1 [STMicroelectronics]

Обзор STD3NM60-1

Когда напряжение превышает напряжение пробоя MOSFET, происходит явление пробоя и течет ток. Это называется ?лавинный пробой?, а энергия, приложенная к MOSFET, называется энергией лавины, и рейтинг энергии лавины (Eas) составляет 200 мДж. Параметр входной емкости, CI, определяется как емкость между входными выводами операционного усилителя с заземленным любым входом, а максимальная входная емкость этого устройства составляет 324 пФ @ 25 В. Стоковый ток — это максимальный непрерывный ток, который устройство может проводить, и постоянный стоковый ток (ID) этого устройства составляет 3 А. Напряжение пробоя сток-исток — это VDS, при котором течет заданное значение ID, с VGS=600 В. И это устройство имеет напряжение пробоя сток-исток 600 В. Стоковый ток — это максимальный непрерывный ток, который устройство может проводить, и стоковый ток этого устройства составляет 3 А. Напряжение затвор-исток, VGS, транзистора FET — это напряжение, которое падает на выводах затвор-исток транзистора, и его напряжение может быть 30 В. Используя напряжение привода (10 В), это устройство помогает снизить общее энергопотребление.

Особенности STD3NM60-1

рейтинг энергии лавины (Eas) составляет 200 мДж
постоянный стоковый ток (ID) 3 А
напряжение пробоя сток-исток 600 В

Применения STD3NM60-1

Существует множество применений одиночных транзисторов MOSFET STMicroelectronics STD3NM60-1.

• ЖК/LED телевизор
• Бытовая техника
• Освещение
• Источник бесперебойного питания
• Блок питания AC-DC
• Синхронный выпрямитель для ATX 1 Сервер I Телеком БИП
• Приводы двигателей и источники бесперебойного питания
• Микро-солнечный инвертор
• DC/DC преобразователи
• Электроинструмент